[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910904006.4
• 申請(qǐng)日: 2019-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110943043B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇煥杰;林志昌;徐廷鋐;余佳霓;吳偉豪;林佑明;王志豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8234
• 分類號(hào): H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一源極組件和第一漏極組件；

第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一源極組件和所述第一漏極組件之間；

第一柵電極，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上方；以及

第一介電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一柵電極上方，其中，所述第一介電結(jié)構(gòu)在截面圖中具有T形輪廓，

所述第一源極組件、所述第一漏極組件、所述第一柵電極和所述第一介電結(jié)構(gòu)是第一晶體管的部分，并且其中，所述半導(dǎo)體器件還包括第二晶體管，所述第二晶體管包括第二源極組件、第二漏極組件、第二柵電極和設(shè)置在所述第二柵電極上方的第二介電結(jié)構(gòu)，其中，所述第二介電結(jié)構(gòu)和所述第一介電結(jié)構(gòu)具有不同的材料組分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一介電結(jié)構(gòu)的介電常數(shù)大于氧化硅的介電常數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一介電結(jié)構(gòu)包括高k介電材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的鰭結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一層間介電(ILD)層，設(shè)置在所述第一源極組件和所述第一漏極組件上方；

第一柵極間隔件，設(shè)置在所述第一柵電極和所述第一層間介電層之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第一介電結(jié)構(gòu)包括下部和設(shè)置在所述下部上方的上部，所述上部的側(cè)表面與所述第一層間介電層的側(cè)表面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述下部的底面與所述第一柵電極的頂面接觸；以及

所述上部的底面與所述第一柵極間隔件的頂面接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，將所述第一源極組件和所述第一漏極組件分隔開(kāi)的第一距離小于將所述第二源極組件和所述第二漏極組件分隔開(kāi)的第二距離。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述第一晶體管還包括：

柵極間隔件，設(shè)置為與所述第一柵電極相鄰，所述第一介電結(jié)構(gòu)包括下部和設(shè)置在所述下部上方的上部，所述下部的側(cè)表面與所述柵極間隔件的側(cè)表面直接接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二介電結(jié)構(gòu)的介電材料具有比所述第一介電結(jié)構(gòu)低的介電常數(shù)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中：

所述第二介電結(jié)構(gòu)包括夾在第二介電組件和第三介電組件之間的第一介電組件；以及

所述第一介電組件具有比所述第二介電組件和所述第三介電組件低的介電常數(shù)。

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一晶體管，包括：

第一源極和第一漏極，分隔開(kāi)第一距離；

第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一源極和所述第一漏極之間；

第一柵電極，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上方；和

第一介電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第一柵電極上方，其中，所述第一介電結(jié)構(gòu)具有下部和上部，所述上部設(shè)置在所述下部上方并且比所述下部寬；以及

第二晶體管，包括：

第二源極和第二漏極，分隔開(kāi)第二距離，所述第二距離大于所述第一距離；

第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二源極和所述第二漏極之間；

第二柵電極，設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上方；和

第二介電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述第二柵電極上方，其中，所述第二介電結(jié)構(gòu)和所述第一介電結(jié)構(gòu)具有不同的材料組分。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一介電結(jié)構(gòu)的第一介電材料具有比所述第二介電結(jié)構(gòu)的第二介電材料大的介電常數(shù)。