[發明專利]一種SiC納米線及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 201910903443.4 | 申請日： | 2019-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN110589832A | 公開（公告）日： | 2019-12-20 |
| 發明（設計）人： | 唐永炳;徐陽;王陶;蔡菁華 | 申請（專利權）人： | 中國科學院深圳先進技術研究院 |
| 主分類號： | C01B32/977 | 分類號： | C01B32/977 |
| 代理公司： | 44414 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 | 代理人： | 黃志云 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基底 燈絲 制備 熱絲化學氣相沉積 熱絲化學氣相沉積法 制備方法工藝 生產成本低 表面清洗 長度粗細 硅源氣體 混合氣體 設備內部 碳源氣體 準確控制 均一 沉積 室內 | ||
1.一種SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述SiC納米線采用熱絲化學氣相沉積法制備獲得，所述熱絲化學氣相沉積法的具體方法包括如下步驟：
提供一基底，對所述基底進行表面清洗、干燥；
將處理得到的基底放置于熱絲化學氣相沉積設備沉積室內；通入含有碳源氣體、硅源氣體的混合氣體，保持所述基底與所述設備內部的燈絲的距離為16～18mm，在所述燈絲的功率為6800～7000W、所述燈絲的溫度為600～800℃的條件下；制備所述SiC納米線。
2.根據權利要求1所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于，制備所述SiC納米線的步驟中，所述沉積室的內部壓力為1500～1800Pa。
3.根據權利要求1所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述混合氣體還包括氫氣，和/或；
所述碳源氣體選自甲烷，所述甲烷的純度大于99.99％；和/或，
所述硅源氣體選自四甲基硅烷，以所述四甲基硅烷的總體積為100％，四甲基硅烷的體積百分含量為1％，氫氣的體積百分含量為99％。
4.根據權利要求3所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述混合氣體的通氣量分別為：甲烷32～35sccm，氫氣800～810sccm，四甲基硅烷80～81sccm。
5.根據權利要求1～4任一所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述制備所述SiC納米線的步驟中，制備的時間為0.5～3小時。
6.根據權利要求1～4任一所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述基底選自鈷基合金基底、鎳基合金基底以及不銹鋼等鐵基基底的任意一種。
7.根據權利要求1～4任一所述的SiC納米線的制備方法，其特征在于，所述基底的厚度為1～5mm。
8.一種SiC納米線，其特征在于，所述SiC納米線由上述權利要求1～7任一所述的SiC納米線的制備方法制備得到。
9.根據權利要求8所述的SiC納米線，其特征在于，所述SiC納米線的直徑為20～50nm；和/或，
所述SiC納米線的純度≥90％。
10.一種SiC納米線的應用，其特征在于，所述SiC納米線應用于光電子器件、電化學儲能器件、電池材料中。
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