[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201910902196.6
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN110518030A
• 公開（公告）日: 2019-11-29
• 發明（設計）人: 劉勝娜;陳世杰;黃曉櫓
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 11038 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 汪晶晶<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種制造半導體裝置的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底的第一面中形成深溝槽；

利用中間材料填充所述深溝槽，以形成中間擴散部，其中所述中間材料具有摻雜劑，所述摻雜劑的摻雜類型與所述襯底的摻雜類型相同；以及

使所述摻雜劑離子擴散到所述深溝槽的側壁中，形成摻雜層。

2.根據權利要1所述的方法，其特征在于，其中：

通過熱處理使所述摻雜劑離子擴散到所述深溝槽的側壁中。

3.根據權利要1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

在所述襯底中被所述深溝槽相互隔離的區域中形成輻射感測部，其中所述深溝槽用于隔離相鄰的輻射感測部；以及

在所述襯底的第一面上形成下列中的至少一個：

柵極絕緣層；

柵極層；

層間絕緣層；以及

布線層。

4.根據權利要1所述的方法，其特征在于，還包括：

在形成所述中間擴散部之后，在所述襯底中形成淺溝槽，所述淺溝槽使得所述深溝槽中的所述中間擴散部的一部分被去除；

利用絕緣材料填充所述淺溝槽，形成淺溝槽隔離部。

5.根據權利要1或4所述的方法，其特征在于，從所述襯底的與第一面相對的第二面：

減薄第二面的表面，以露出所述中間擴散部；

去除所述中間擴散部，以形成凹陷；以及

在所述凹陷中形成介質層。

6.根據權利要5所述的方法，其特征在于：

所述介質層形成在所述凹陷的表面上；并且

所述介質層在所述凹陷的在所述第二面的開口處形成懸垂部，所述懸垂部用于在所述凹陷內形成封閉的氣體隔離區。

7.根據權利要6所述的方法，其特征在于：

所述介質層至少包括第一介質層和第二介質層，所述第一介質層在所述凹陷的表面與所述第二介質層之間。

8.根據權利要7所述的方法，其特征在于：

所述第一介質層包括二氧化硅；

所述第二介質層包括高介電常數材料。

9.根據權利要5述的方法，其特征在于：

通過原子層沉積形成所述介質層。

10.根據權利要1所述的方法，其特征在于：

所述襯底是P型襯底，所述中間材料為硼硅玻璃，并且所述摻雜劑是硼。