[發明專利]光檢測設備和光檢測系統

在審

• 申請號: 201910902187.7
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN110970447A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 巖田旬史
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/14
• 分類號: H01L27/14
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 宋巖

1.一種光檢測設備，其特征在于，包括：

半導體基板，包括第一表面和與第一表面相對的第二表面；以及

像素區域，在像素區域中多個像素布置在半導體基板上，每個像素包括雪崩二極管，

其中雪崩二極管包括：

具有第一導電類型的第一半導體區域，設置在第一深度處；

具有第二導電類型的第二半導體區域，設置在相對于第一表面比第一深度深的第二深度處；

第三半導體區域，設置在相對于第一表面比第二深度深的第三深度處并且與第二半導體區域接觸；以及

第一分離區域和第二分離區域，各自從第一深度延伸到第三深度，

其中第二半導體區域和第三半導體區域各自從第一分離區域延伸到第二分離區域，以及

其中第一半導體區域、第二半導體區域和第三半導體區域在平面圖中具有彼此重疊的部分。

2.如權利要求1所述的光檢測設備，其中第三半導體區域具有第一導電類型。

3.如權利要求1所述的光檢測設備，其中第一分離區域和第二分離區域中的每一個是具有第二導電類型的半導體區域。

4.如權利要求2所述的光檢測設備，其中第一分離區域和第二分離區域中的每一個是具有第二導電類型的半導體區域。

5.如權利要求3所述的光檢測設備，其中第一分離區域和第二分離區域連接到施加有預定電位的接觸插塞。

6.如權利要求4所述的光檢測設備，其中第一分離區域和第二分離區域連接到施加有預定電位的接觸插塞。

7.如權利要求1所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第一分離區域接觸。

8.如權利要求2所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第一分離區域接觸。

9.如權利要求3所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第一分離區域接觸。

10.如權利要求5所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第一分離區域接觸。

11.如權利要求6所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第一分離區域接觸。

12.如權利要求7所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第二分離區域接觸。

13.如權利要求11所述的光檢測設備，還包括具有第一導電類型的半導體區域，其具有比第一半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度并且在第一深度處與第一半導體區域和第二分離區域接觸。

14.一種光檢測系統，其特征在于，包括多個光檢測設備，每個光檢測設備如權利要求1至13中任一項所述，所述光檢測系統包括：

波長轉換單元，被配置為將第一波段中的光轉換成與第一波段不同的第二波段中的光；以及

信號處理單元，被配置為合成從被保持在所述多個光檢測設備中的多個數字信號獲得的多個圖像，

其中從波長轉換單元輸出的第二波段中的光入射在所述多個光檢測設備上。