[發(fā)明專利]制造半導體結構的方法

有效

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• 申請日: 2019-09-23
• 公開（公告）號: CN110957274B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 蔡俊雄;彭成毅;李京樺;吳忠政;幸仁·萬
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 龔詩靖

本發(fā)明實施例提供制造半導體結構的方法。所述方法的一者包括：接收包括第一晶體管的第一導電區(qū)域及第二晶體管的第二導電區(qū)域的襯底，其中所述第一晶體管及所述第二晶體管具有不同導電類型；對所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域執(zhí)行非晶化；在所述第一晶體管的所述第一導電區(qū)域上執(zhí)行植入；使接觸材料層形成于所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域上；對所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域執(zhí)行熱退火；及對所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域執(zhí)行激光退火。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及制造半導體結構的方法。

背景技術

半導體集成電路(IC)工業(yè)已經歷快速成長。設計及IC材料的技術進步已產生連續(xù)IC世代，各代具有比前一代更小及更復雜的電路。復雜及減小的IC結構易受缺陷或物理損壞影響，且IC結構中的電性質及電組件的小變化可導致IC結構的低性能。例如，IC結構中的源極及漏極的電阻可顯著影響IC結構的性能。然而，歸因于半導體工藝的高復雜性及影響半導體結構的不同元件及層的相互依存因數，即使工藝的微小變化也很困難。

發(fā)明內容

本發(fā)明的實施例涉及一種用于制造半導體結構的方法，其包含：接收包括第一晶體管的第一導電區(qū)域及第二晶體管的第二導電區(qū)域的襯底，其中所述第一晶體管及所述第二晶體管具有不同導電類型；對所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域執(zhí)行非晶化；在所述第一晶體管的所述第一導電區(qū)域上執(zhí)行植入；使接觸材料層形成于所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域上；對所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域執(zhí)行熱退火；及對所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域執(zhí)行激光退火。

本發(fā)明的實施例涉及一種用于制造半導體結構的方法，其包含：接收包括第一晶體管的第一導電區(qū)域及第二晶體管的第二導電區(qū)域的襯底，其中所述第一晶體管及所述第二晶體管具有不同導電類型；使第一物質沖擊所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域；將第二物質植入到所述第一導電區(qū)域中；將第三物質沉積于所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域上；及通過激光退火來增大所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域的結晶密度。

本發(fā)明的實施例涉及一種用于制造半導體結構的方法，其包含：接收包括第一晶體管的第一導電區(qū)域及第二晶體管的第二導電區(qū)域的襯底，其中所述第一晶體管及所述第二晶體管具有不同導電類型；暴露所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域；增大所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域的非晶密度；將物質引入到所述第一導電區(qū)域的非晶結構中；將接觸材料層沉積于所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域上；及執(zhí)行激光退火以減小所述第一導電區(qū)域及所述第二導電區(qū)域的所述非晶密度。

附圖說明

從結合附圖來解讀的以下詳細描述最佳理解本揭露的實施例的方面。應注意，根據行業(yè)標準做法，各種結構未按比例繪制。事實上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種結構的尺寸。

圖1是根據本揭露的一些實施例的用于制造半導體結構的方法的流程圖。

圖2到8為根據本揭露的一些實施例的各種制造階段期間的半導體結構的剖面圖。

圖9為根據本揭露的一些實施例的用于制造半導體結構的方法的流程圖。

圖10為根據本揭露的一些實施例的用于制造半導體結構的方法的流程圖。

圖11為根據本揭露的一些實施例的一或多個晶體管的三維圖。

具體實施方式

以下揭露提供用于實施所提供的標的的不同特征的諸多不同實施例或實例。下文將描述元件及配置的特定實例以簡化本揭露。當然，此等僅為實例且不意在限制。例如，在以下描述中，“使第一構件形成于第二構件上方或第二構件上”可包括其中形成直接接觸的所述第一構件及所述第二構件的實施例，且也可包括其中可形成介于所述第一構件與所述第二構件之間的額外構件使得所述第一構件及所述第二構件可不直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各種實例中重復元件符號及/或字母。此重復是為了簡化及清楚且其本身不指示所討論的各種實施例及/或配置之間的關系。