[發明專利]用于電子束微影及增加生產量的方法

有效

• 申請號: 201910895121.X
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號: CN110941149B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 張世明;駱文;劉俊宏;張家華;吳信緯;歐大煒;陳建志;陳建誠
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 王宇航

本公開提供一種電子束微影系統及電子束微影方法以增加生產量，特別涉及用于電子束微影及增加生產量的方法。由電子束微影系統實現的增加生產量的范例性方法，包括接收包含目標圖案的集成電路(IC)設計布局，其中子束微影系統執行第一曝光劑量，以基于集成電路設計布局在工作件上形成目標圖案。上述方法還包括插入虛擬圖案至集成電路設計布局中，以將集成電路設計布局的圖案密度增加到大于或等于臨界圖案密度，進而產生修改后集成電路設計布局。電子束微影系統執行第二曝光劑量，以基于修改后集成電路設計布局在工作件上形成目標圖案，其中第二曝光劑量小于第一曝光劑量。

技術領域

本公開涉及一種電子束微影的方法，特別涉及一種使電子束微影的生產量增加的方法。

背景技術

隨著集成電路(integrated circuit,IC)技術持續朝向更小的特征尺寸發展，IC設計變得更具挑戰性，例如32納米(nanometer,nm)、28納米、20納米以及更小的線寬。舉例來說，當制造IC裝置時，IC裝置的性能會嚴重地被微影可印性能力(lithographyprintability capability)影響，這表示形成在晶圓上的最終晶圓圖案與由IC設計布局定義的目標圖案的對應程度為何。許多方法已被導入以強化微影可印性，例如浸潤式(immersion)微影、多重圖案化(multiple patterning)微影、極紫外光(extremeultraviolet,EUV)微影、以及帶電粒子束(charged particle beam)微影。其中特別的是帶電粒子束微影，其在不使用標線片(reticle)(或光罩)的情況下，以帶電粒子束(例如：電子束(electron beam))將IC圖案寫入(writing)至工作件(workpiece)上，如此可以形成小于光的分辨率的IC特征。帶電粒子束微影的生產量明顯地限制了它的有效性，由其是在大量制造的時候。因此，即使現行的帶電粒子束微影系統及帶電粒子束微影方法通常已能滿足使用它們的預期目的，但它們并不是在所有方面都完全令人滿意的。

發明內容

本公開實施例提供一種增加生產量的方法，通過一電子束微影系統實現。上述方法包括接收集成電路(IC)設計布局，IC設計布局包括目標圖案，其中電子束微影系統執行第一曝光劑量，以基于IC設計布局在工作件上形成目標圖案；以及插入虛擬圖案至IC設計布局中，以將IC設計布局的圖案密度增加到大于或等于臨界圖案密度，進而產生修改后IC設計布局，其中電子束微影系統執行第二曝光劑量，以基于修改后IC設計布局在工作件上形成目標圖案，其中第二曝光劑量小于第一曝光劑量。

本公開實施例提供一種增加生產量的方法，通過一電子束微影系統實現。上述方法包括接收具有目標圖案的集成電路(IC)設計布局；判斷IC設計布局的多個圖案區域的圖案密度；以及插入虛擬特征至圖案密度小于臨界圖案密度的任何圖案區域，進而為IC路設計布局產生虛擬圖案。

本公開實施例提供一種用于電子束微影的方法。上述方法包括接收工作件，其中工作件上設置有能量敏感層；以及執行寫入操作，使用電子束將目標圖案及虛擬圖案寫入至能量敏感層，其中寫入操作執行的曝光劑量在臨界劑量至最大曝光劑量之間變化，且其中最大曝光劑量為臨界劑量加上用于臨界圖案密度的臨界效應校正劑量。

附圖說明

本公開從后續實施方式及附圖可更佳地理解。須強調的是，依據產業的標準作法，各種特征并未按比例繪制，并僅用于說明的目的。事實上，各種特征的尺寸可能任意增加或減少以清楚論述。

圖1是根據本公開多種實施方式的電子束系統的簡化示意圖。

圖2是根據本公開多種實施方式的當光柵掃描(raster scanning)被實施以執行電子束微影制程(例如：由圖1的電子束系統執行的制程)時的工作件的簡化俯視圖。

圖3根據本公開多種實施方式描繪了由記錄介質(recording medium)吸收的能量作為寫入記錄介質的圖案區域的圖案密度的函數。