[發明專利]太陽能電池、臭氧溶液施加裝置及太陽能電池的制備方法在審
| 申請號: | 201910894278.0 | 申請日: | 2019-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN110676153A | 公開(公告)日: | 2020-01-10 |
| 發明(設計)人: | 左國軍;任金枝;柯國英 | 申請(專利權)人: | 常州捷佳創精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 11343 北京友聯知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 汪海屏;劉瀟 |
| 地址: | 213133 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 第一表面 硅基片 制備 臭氧溶液 激光處理 拋光處理 光電轉換效率 第二表面 堿性溶液 刻蝕拋光 施加裝置 氧化膜 腐蝕 保證 | ||
本發明提供了一種太陽能電池、臭氧溶液施加裝置及太陽能電池的制備方法。所述太陽能電池的制備方法包括:采用硅基片為原料,通過包括激光處理和拋光處理的步驟,制備所述太陽能電池;其中,所述硅基片包括第一表面和第二表面;在所述激光處理和拋光處理的步驟之間,對所述第一表面進行氧化保護;所述氧化保護的步驟包括:采用臭氧溶液與所述第一表面接觸,以使得所述第一表面上形成氧化膜。本發明保護太陽能電池的硅基片在堿性溶液刻蝕拋光中不受到非不要地腐蝕,從而在提高太陽能電池光電轉換效率的基礎上,保證其質量和性能。
技術領域
本發明涉及太陽能電池制造的技術領域,具體而言,涉及一種太陽能電池、臭氧溶液施加裝置及太陽能電池的制備方法。
背景技術
隨著經濟的不斷發展,能源的需求也日益增大。在傳統的石化能源不斷消耗的同時,能源的可持續發展性及其使用時環保問題也逐漸受到大家關注。太陽能作為一種無污染、價格低廉且幾乎用之不竭的新能源,近年來深受廣大人們的青睞。
太陽能電池是直接利用太陽的輻射能轉換為電能的一種太陽能利用手段,其原理是基于半導體的光伏特效應,當大于禁帶寬度的光照射到晶體硅材料的太陽能電池表面時,硅片內部原子會吸收光子從而變成激發狀態,形成電子-空穴對。在內電場的作用下空穴和電子產生移動,使太陽能電池上表面積累大量負電荷,而太陽能電池下表面則積累有大量正電荷,從而形成電勢差以實現光能到電能的轉換。
其中,如何提高太陽能電池的光能與電能之間的轉換效率,一直是太陽能電池制造領域的重大技術難題。
發明內容
本發明旨在解決上述技術問題的至少之一。
為此,本發明的第一目的在于提供一種臭氧溶液施加裝置。
本發明的第二目的在于提供一種太陽能電池的制備方法。
本發明的第三目的在于提供一種太陽能電池。
為實現本發明的第一目的,本發明的實施例提供了一種臭氧溶液施加裝置,該臭氧溶液施加裝置適于向太陽能電池的硅基片施加臭氧溶液,以使得所述硅基片上形成氧化保護,所述臭氧溶液施加裝置包括:臭氧溶液發生組件,適于產生臭氧溶液;臭氧溶液施加組件,與所述臭氧溶液發生組件連通,容置有所述臭氧溶液;滾輪傳動組件,承載所述硅基片,并帶動所述硅基片移動,以使得所述硅基片經過所述臭氧溶液施加組件。
本實施例利用臭氧溶液施加裝置發生的臭氧溶液實施的氧化保護,可在常溫環境下快速地使得硅基片表面形成氧化膜,不需要升溫并且反應時間短,由此簡化了實施氧化保護所需的設備,降低了實施氧化保護所需的時間、成本以及能耗。
另外,本發明提供的上述實施例提供的臭氧溶液施加裝置還可以具有如下附加技術特征:
上述技術方案中,所述臭氧溶液施加裝置包括:清潔裝置,設于所述臭氧溶液施加組件的前端;和/或,水膜裝置,設于所述臭氧溶液施加組件的后端;其中,所述滾輪傳動組件帶動所述硅基片移動,以使得所述硅基片經過所述清潔裝置或所述水膜裝置中的任一者。
本實施例的清潔裝置可在實施氧化保護前對硅基片進行清潔,洗去其表面的灰塵和有機污漬,由此提高氧化保護的效果。本實施例的水膜裝置在實施氧化保護后對硅基片進行水膜保護,由此為后續的堿性溶液拋光刻蝕進行準備。
為實現本發明的第二目的,本發明的實施例提供了一種太陽能電池的制備方法,包括:采用硅基片為原料,通過包括激光處理和拋光處理的步驟,制備所述太陽能電池;其中,所述硅基片包括第一表面和第二表面;在所述激光處理和拋光處理的步驟之間,對所述第一表面進行氧化保護;所述氧化保護的步驟包括:采用臭氧溶液與所述第一表面接觸,以使得所述第一表面上形成氧化膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





