[發明專利]晶片封裝結構的形成方法

在審

• 申請號: 201910894180.5
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號: CN110931370A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發明（設計）人: 鄭心圃;翁得期;林柏堯;游明志;蔡柏豪;莊博堯
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L25/16;H01L23/31
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李曄;李琛

本發明實施例提供一種晶片封裝結構的形成方法，包括形成導電柱于重分布結構之上；接合晶片至重分布結構；形成模封層于重分布結構之上，其中模封層包圍導電柱及晶片，且導電柱穿過模封層；形成蓋層于模封層及導電柱之上，其中蓋層具有露出導電柱的通孔，且蓋層包括纖維；以及形成導電導孔結構于通孔之中，其中導電導孔結構連接至導電柱。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體裝置的形成方法，尤其涉及一種包括晶片封裝結構的形成方法。

背景技術

半導體元件用于各電子應用，例如個人電腦、移動電話、數碼相機、及其他電子設備。一般以在半導體基板上依序沉積絕緣層或介電層、導電層、及半導體層，并使用光刻工藝及蝕刻工藝圖案化各材料層以在其上形成電路組件和零件來制造半導體元件。

許多集成電路一般于半導體晶圓上制造。半導體晶圓可分割為晶粒。可封裝晶粒，且已經開發了封裝的各種技術。

發明內容

本發明實施例包括一種晶片封裝結構的形成方法，包括形成導電柱于重分布結構之上；接合晶片至重分布結構；形成模封層于重分布結構之上，其中模封層包圍導電柱及晶片，且導電柱穿過模封層；形成蓋層于模封層及導電柱之上，其中蓋層具有露出導電柱的通孔，且蓋層包括纖維；以及形成導電導孔結構于通孔之中，其中導電導孔結構連接至導電柱。

附圖說明

以下將配合所附圖式詳述本發明實施例。應注意的是，各種特征部件并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上，元件的尺寸可能經放大或縮小，以清楚地表現出本發明實施例的技術特征。

圖1A-1G為根據一些實施例繪示出形成晶片封裝結構的工藝的各階段剖面圖。

圖2為根據一些實施例繪示出晶片封裝結構的剖面圖。

圖3A-3H為根據一些實施例繪示出形成晶片封裝結構的工藝的各階段剖面圖。

圖4為根據一些實施例繪示出晶片封裝結構的剖面圖。

圖5A-5H為根據一些實施例繪示出形成晶片封裝結構的工藝的各階段剖面圖。

圖6為根據一些實施例繪示出晶片封裝結構的剖面圖。

附圖標記說明：

110～基板

111～核心層

111a、111b～表面

112a、112b～導電墊層

113～導電導孔結構

114a、114b、114c、114d～絕緣層

115～布線層

116～布線層

116a、116b～導電墊層

117～布線層

118～布線層

118a～導電墊層

119a、119b～表面

119c～側壁

120～導電凸塊

130A、130B、130C、130D、130E、130F～晶片

131～半導體基板

131a～前表面

131b～后表面

132～介電層

133～導電墊層

134～內連層