[發明專利]利用四甲基胍有機堿在單晶硅表面制絨的方法在審
| 申請號： | 201910893517.0 | 申請日： | 2019-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN110707163A | 公開（公告）日： | 2020-01-17 |
| 發明（設計）人： | 黃仕華;張嘉華 | 申請（專利權）人： | 浙江師范大學 |
| 主分類號： | H01L31/0236 | 分類號： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 33216 杭州之江專利事務所(普通合伙) | 代理人： | 朱楓 |
| 地址： | 321004 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 四甲基胍 硅片 制絨 去離子水 體積比 有機堿 制絨液 異丙醇混合溶液 單晶硅 光學反射率 單晶硅片 后續處理 金屬離子 溶液殘留 水浴鍋 異丙醇 預熱 溶劑 超聲 放入 廢液 沖洗 加熱 備用 離子 配制 清洗 下水 水位 并用 污染 | ||
【權利要求書】：
1.一種利用四甲基胍有機堿在單晶硅片制絨的方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)清洗硅片；
2)以去離子水位溶劑，配制四甲基胍和異丙醇混合溶液，其中四甲基胍的體積比為10％，異丙醇的體積比為7％，80℃的水浴鍋中預熱備用；
3)將步驟1)所得的硅片放入步驟2)所得的制絨液中，80℃下水浴加熱35min，并用去離子水沖洗二到三次，再用去離子水超聲5min以除去溶液殘留。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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