[發明專利]一種防止反濺液體污染基板的裝置及方法在審
| 申請號: | 201910891034.7 | 申請日: | 2019-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN112542397A | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 陳興隆;鄭云龍 | 申請(專利權)人: | 沈陽芯源微電子設備股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
| 地址: | 110168 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 液體 污染 裝置 方法 | ||
1.一種防止反濺液體污染基板的裝置,包括電機、承載臺、升降CUP、噴嘴及擺臂,其中電機的輸出端與承載臺相連、驅動承載臺旋轉,該承載臺上放置有隨承載臺旋轉的基板,所述電機外圍設有可升降的升降CUP;所述噴嘴通過擺臂的帶動在升降CUP內側與外側之間移動,該噴嘴連接有進液管路B,通過所述進液管路B向噴嘴輸送對基板進行工藝處理的液體B;其特征在于:所述噴嘴(4)上安裝有防濺罩(6),該防濺罩(6)的上端與噴嘴(4)相連,下端為開放結構,所述防濺罩(6)上開設有至少一個進液管(7),進液管(7)連接有進液管路A,通過該進液管路A向所述防濺罩(6)內部輸送液體A,液體A在防濺罩(6)的內表面形成有液體膜(11);所述噴嘴(4)向基板(12)表面噴灑液體B,在基板(12)表面形成反濺的液體B反濺至所述液體膜(11),并隨液體膜(11)流到基板(12)表面,隨基板(12)的旋轉脫離基板(12)。
2.根據權利要求1所述防止反濺液體污染基板的裝置,其特征在于:所述進液管(7)的軸向與防濺罩(6)的切向相同,進入的液體A沿防濺罩(6)的切向流入,并在離心力的作用下在所述防濺罩(6)的內表面形成連續不間斷的液體膜(11)。
3.根據權利要求2所述防止反濺液體污染基板的裝置,其特征在于:所述進液管(7)開設在防濺罩(6)的上端,所述液體膜(11)完全覆蓋防濺罩(6)的內表面。
4.根據權利要求2所述防止反濺液體污染基板的裝置,其特征在于:所述防濺罩(6)的軸向截面為矩形或梯形,該防濺罩(6)的徑向截面為圓形或橢圓形。
5.根據權利要求1所述防止反濺液體污染基板的裝置,其特征在于:所述進液管路A(9)上安裝有調節液體A流速的調速閥(8),或者,所述進液管(7)處安裝有調速閥(8),所述進液管路A(9)通過該調速閥(8)與進液管(7)相連通。
6.根據權利要求1所述防止反濺液體污染基板的裝置,其特征在于:所述防濺罩(6)的下端端部高于基板(12),且該防濺罩(6)的下端端部位于所述噴嘴(4)下端端部的下方。
7.一種權利要求1至6任一權利要求所述防止反濺液體污染基板的方法,其特征在于:所述基板(12)位于承載臺(2)上,隨承載臺(12)在電機(1)的驅動下旋轉,所述噴嘴(4)在擺臂(5)的帶動下移動至基板(12)的上方;液體A經所述進液管(7)進入防濺罩(6)內,并在離心力的作用下在所述防濺罩(6)的內表面形成液體膜(11),該液體膜(11)向下流到所述基板(12)的表面,隨基板(12)的旋轉而脫離基板(12);
液體B(10)通過所述噴嘴(4)噴灑至基板(12)的表面上,對基板(12)進行工藝處理,并隨所述基板(12)的旋轉而脫離基板(12);在液體B(10)噴灑過程中,由所述基板(12)表面形成反濺的液體B(10)反濺至防濺罩(6)內表面的液體膜(11),并隨該液體膜(11)流至基板(12)的表面,再隨基板(12)的旋轉而脫離基板(12)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





