[發明專利]一種氧化鎵納米晶薄膜日盲紫外探測器及其制備方法

有效

• 申請號: 201910884320.0
• 申請日: 2019-09-19
• 公開（公告）號: CN110676339B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 楊陳;張進;蔡長龍;邵雨
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: H01L31/102
• 分類號: H01L31/102;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0368;H01L31/18
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

1.一種氧化鎵納米晶薄膜日盲紫外探測器的制備方法，其特征在于：步驟為：

1)以單晶硅為襯底，采用電子束蒸發的方式，在Si襯底上沉積一層200nm厚的SiO₂薄膜；

2)將純度高于99.995％的Ga₂O₃粉，經真空燒結后的壓胚粉碎成3-5mm大小的不規則顆粒作為起鍍膜料，將起鍍膜料放于坩堝中，調整槍燈絲束流至20mA對膜料進行加熱蒸發，蒸發過程中對襯底烘烤溫度控制在80℃，并通入分壓為2.0×10^-2Pa、純度為99.999％的氧氣，在SiO₂薄膜上沉積一層厚300nm的Ga₂O₃薄膜；

3)將步驟2)獲得的薄膜樣品取出，放置于退火爐中，在700℃溫度下進行2小時退火處理，使Ga₂O₃薄膜晶化生成β-Ga₂O₃相；

4)將叉指電極掩模版覆蓋在步驟3)得到的Ga₂O₃薄膜表面，兩者一起固定在樣品架上，采用電子束蒸發的方式在對樣品架上的樣品表面沉積一層100nm厚的鈦膜，然后再沉積一層100nm厚的Au膜，形成雙層金屬叉指電極；

5)將雙層金屬叉指電極放置于快速退火爐中，在200℃溫度下對電極進行180s的快速退火，制得日盲紫外探測器件。

2.權利要求1所述的制備方法制得的氧化鎵納米晶薄膜日盲紫外探測器。