[發明專利]一種磁傳感器有效
| 申請號: | 201910883968.6 | 申請日: | 2015-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN110531287B | 公開(公告)日: | 2021-09-14 |
| 發明(設計)人: | B·N·恩格爾;P·G·馬瑟 | 申請(專利權)人: | 艾沃思賓技術公司 |
| 主分類號: | G01R33/09 | 分類號: | G01R33/09 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美國亞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 傳感器 | ||
1.一種磁傳感器(100),包括:
第一多個磁阻傳感器元件(210),所述第一多個磁阻傳感器元件耦接在一起成為第一電路(200);以及
第二電路(400),所述第二電路與所述第一電路(200)相鄰并且被配置為從與所述第二電路(400)耦接的雙極電流源(500)接收雙極電流信號(600),
其中所述第二電路(400)的一部分與所述第一多個磁阻傳感器元件(210)中的每個磁阻傳感器元件(210)相鄰,
其中所述雙極電流信號(600)被配置為產生磁場以抵消從所述第一多個磁阻傳感器元件(210)中的至少一個磁阻傳感器元件(210)產生的1/f噪聲的至少一部分,并且
其中所述雙極電流信號(600)是包括正部分(610)、與所述正部分(610)不同的負部分(620)的周期信號,并且占據所述雙極電流信號(600)的每個周期的不同百分比的正部分(610)和負部分(620)不對稱。
2.根據權利要求1所述的磁傳感器(100),其中每個磁阻傳感器元件(210)包括:
第一鐵磁層(212);
第二鐵磁層(214);和
所述第一鐵磁層(212)和第二鐵磁層(214)之間的中間層(216)。
3.根據權利要求2所述的磁傳感器(100),其中所述中間層(216)包括絕緣材料。
4.根據權利要求2或3所述的磁傳感器(100),其中每個磁阻傳感器元件(210)的所述第一鐵磁層(212)具有在磁場中自由旋轉的磁化方向,并且每個磁阻傳感器元件(210)的所述第二鐵磁層(214)具有固定的磁化方向。
5.根據權利要求1-3中任一項所述的磁傳感器(100),其中,響應于接收到所述雙極電流信號(600),所述第二電路被配置為產生與所述第一多個磁阻傳感器元件(210)中的每個磁阻傳感器元件(210)相鄰的磁場。
6.根據權利要求1-3中任一項所述的磁傳感器(100),其中所述雙極電流信號還包括在所述正部分(610)的開始處的正重置脈沖(611)和在所述負部分(620)的開始處的負重置脈沖(621),并且其中所述第一電路(200)的輸出包括分別響應于所述雙極電流信號(600)的所述正部分和所述負部分的高輸出和低輸出。
7.根據權利要求6所述的磁傳感器,其中所述雙極電流信號(600)以第一電路的輸出信號的輸出數據速率的至少兩倍的速率傳送,并且其中來自所述第一電路的所述高輸出和所述低輸出被采樣和相加以抵消由所述第一多個磁阻傳感器元件(210)中的至少一個磁阻傳感器元件(210)所產生的所述1/f噪聲的至少一部分。
8.根據權利要求1-3中任一項所述的磁傳感器(100),其中每個磁阻傳感器元件(210)是隧穿磁阻(TMR)元件、巨磁阻(GMR)元件或者各向異性磁阻(AMR)元件中的一種。
9.根據權利要求1-3中任一項所述的磁傳感器(100),其中,所述第一電路是全橋電路或半橋電路中的一種。
10.根據權利要求1-3中任一項所述的磁傳感器(100),還包括:
第二多個磁阻傳感器元件(210),所述第二多個磁阻傳感器元件耦接在一起成為第三電路;
第四電路,所述第四電路被配置為接收雙極電流信號(600),其中所述第四電路的一部分與所述第二多個磁阻傳感器元件(210)中的每個磁阻傳感器元件(210)相鄰;
第三多個磁阻傳感器元件(210),所述第三多個磁阻傳感器元件耦接在一起成為第五電路;以及
第六電路,所述第六電路被配置為接收雙極電流信號(600),其中所述第六電路的一部分與所述第三多個磁阻傳感器元件(210)中的每個磁阻傳感器元件(210)相鄰。
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