[發明專利]顯示面板及其制造方法和電子設備

有效

• 申請號: 201910880470.4
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN112530873B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 馬應海;俞鳳至;劉少偉;候旭
• 申請（專利權）人: 云谷（固安）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種顯示面板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底以及位于所述基底上的第一介質層；

在所述第一介質層上形成第二介質層，所述第二介質層內具有貫穿所述第二介質層的開口，所述第二介質層的相對介電常數大于所述第一介質層的相對介電常數，所述第二介質層具有絕緣特性；

以所述第二介質層為掩模，沿所述開口刻蝕所述第一介質層，在所述第一介質層內形成溝槽；

所述溝槽的深寬比大于或等于1.0，以提升所述顯示面板的像素密度；

其中，無需在形成所述溝槽后去除所述第二介質層。

2.根據權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述刻蝕為干法刻蝕。

3.根據權利要求2所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕采用的氣體包括碳氟化合物氣體。

4.根據權利要求3所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕的工藝參數包括：氣壓為6~15mT，功率為5~10KW，碳氟化合物氣體流量為200~500sccm，溫度為10~20℃。

5.根據權利要求2所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕對所述第一介質層與所述第二介質層的刻蝕選擇比大于或等于30。

6.根據權利要求5所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕對所述第一介質層的刻蝕速率為1500~4000?/min；所述干法刻蝕對所述第二介質層的刻蝕速率為50~70?/min。

7.根據權利要求6所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述溝槽具有預設深度；在進行所述干法刻蝕之前，所述預設深度與所述第二介質層的厚度的比值小于或等于所述刻蝕選擇比。

8.根據權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述第一介質層上形成第二介質層，具體包括：在所述第一介質層上形成初始層；在所述初始層上形成圖形層；利用所述圖形層刻蝕所述初始層直至暴露出所述第一介質層，剩余所述初始層作為所述第二介質層。

9.根據權利要求8所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述開口后，保留所述圖形層。

10.根據權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述溝槽后，還包括：在所述溝槽和所述開口內形成導電層，所述導電層填充滿所述溝槽和所述開口。

11.根據權利要求10所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，形成的所述導電層還位于所述第二介質層頂部上。

12.根據權利要求11所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，在形成所述導電層之后，還包括：在所述第二介質層上和所述導電層上形成第三介質層。

13.權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述溝槽的深寬比等于1.5。

14.權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述溝槽的深寬比等于2。

15.權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述溝槽的深寬比等于4。

16.權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述溝槽的深寬比等于6。

17.權利要求1所述的顯示面板的制造方法，其特征在于，所述溝槽的深寬比等于10。