[發(fā)明專利]巨磁自旋-塞貝克效應(yīng)誘導(dǎo)的磁控轉(zhuǎn)移扭矩輔助的MAMR

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910880012.0
• 申請日: 2019-09-18
• 公開（公告）號: CN111276166B
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: Z·李;S·宋;M·K·S·霍
• 申請（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司
• 主分類號: G11B5/31
• 分類號: G11B5/31;H01L43/08
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 徐東升

1.一種磁記錄裝置，所述磁記錄裝置包括：

主磁極；

線圈，所述線圈位于所述主磁極周圍；

后罩，所述后罩具有凹口；

自旋扭矩振蕩裝置，所述自旋扭矩振蕩裝置位于所述主磁極與所述后罩的所述凹口之間，所述自旋扭矩振蕩裝置包括：

非磁性導(dǎo)電層，所述非磁性導(dǎo)電層位于所述主磁極上方，所述非磁性導(dǎo)電層具有第一導(dǎo)熱率；和

場產(chǎn)生層，所述場產(chǎn)生層位于所述非磁性導(dǎo)電層與所述后罩的所述凹口之間；和

散熱器，所述散熱器包在所述后罩的所述凹口周圍，所述散熱器具有第二導(dǎo)熱率，所述散熱器的所述第二導(dǎo)熱率高于所述非磁性導(dǎo)電層的所述第一導(dǎo)熱率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置，其中所述散熱器的所述第二導(dǎo)熱率為130W/m·K或更高的熱導(dǎo)率。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置，其中所述非磁性導(dǎo)電層的所述第一導(dǎo)熱率為90W/m·K或更低的熱導(dǎo)率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置，其中所述散熱器包括選自由以下項(xiàng)組成的組的材料：銀、銅、金、鋁、鎢、它們的合金、石墨、碳納米管以及它們的多個(gè)層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置，其中所述非磁性導(dǎo)電層包括選自由以下項(xiàng)組成的組的材料：釕、鉭、非磁性鎳合金、非磁性鐵合金、它們的合金以及它們的多個(gè)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置，其中所述散熱器和所述非磁性導(dǎo)電層在所述自旋扭矩振蕩裝置內(nèi)在沿所述主磁極到所述后罩的方向形成從熱到冷的溫度梯度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置，其中所述凹口選自由附接凹口或分離凹口組成的組。

8.一種磁介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器，所述磁介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄裝置。

9.一種磁記錄裝置，所述磁記錄裝置包括：

主磁極；

線圈，所述線圈位于所述主磁極周圍；

后罩；

自旋扭矩振蕩裝置，所述自旋扭矩振蕩裝置位于所述主磁極與所述后罩之間，所述自旋扭矩振蕩裝置包括：

一個(gè)或多個(gè)第一層，所述一個(gè)或多個(gè)第一層在所述主磁極上方具有第一導(dǎo)熱率；

間隔層，所述間隔層位于所述一個(gè)或多個(gè)第一層上方；和

場產(chǎn)生層，所述場產(chǎn)生層位于所述間隔層上方；和

散熱器，所述散熱器與所述后罩接觸，所述散熱器具有第二導(dǎo)熱率，所述散熱器的所述第二導(dǎo)熱率高于所述一個(gè)或多個(gè)第一層的第一導(dǎo)熱率。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁記錄裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)第一層包括非磁性導(dǎo)電層，所述非磁性導(dǎo)電層形成在所述主磁極上方。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄裝置，其中所述非磁性導(dǎo)電層包括選自由以下項(xiàng)組成的組的材料：釕、鉭、非磁性鎳合金、非磁性鐵合金、它們的合金以及它們的多個(gè)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁記錄裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)第一層包括自旋極化層，所述自旋極化層形成在形成于所述主磁極與所述自旋極化層之間的非磁性導(dǎo)電層上方。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁記錄裝置，其中所述一個(gè)或多個(gè)第一層包括非磁性導(dǎo)電層和自旋極化層，所述非磁性導(dǎo)電層形成在所述主磁極上方，并且所述自旋極化層形成在所述非磁性導(dǎo)電層上方。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁記錄裝置，其中所述散熱器包在所述后罩的凹口周圍。

15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁記錄裝置，其中所述散熱器包在所述場產(chǎn)生層與所述后罩之間形成的封蓋層周圍。