[發(fā)明專利]一種氮化鎵上生長(zhǎng)石墨烯提高LED透明導(dǎo)電及散熱性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910879324.X
• 申請(qǐng)日: 2019-09-18
• 公開（公告）號(hào): CN110611017B
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫捷;熊訪竹;郭偉玲;董毅博;樊星;苑營闊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/44;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 沈波

1.一種氮化鎵上生長(zhǎng)石墨烯提高LED透明導(dǎo)電及散熱性的方法，其特征在于：該方法的實(shí)施過程如下，

步驟1：氮化鎵發(fā)光二極管芯片外延結(jié)構(gòu)包括藍(lán)寶石襯底(1)、u型氮化鎵層(2)、n型氮化鎵層(3)、有源層(4)和p型氮化鎵層(5)，用丙酮煮沸清洗兩遍去除氮化鎵發(fā)光二極管芯片外延結(jié)構(gòu)表面的有機(jī)物雜質(zhì)，再用乙醇煮沸清洗兩遍去除表面丙酮，去離子水沖洗30遍去除表面乙醇，再用氮?dú)鈽尨蹈傻壈l(fā)光二極管芯片外延結(jié)構(gòu)表面；

步驟2：在氮化鎵發(fā)光二極管芯片外延結(jié)構(gòu)的p型氮化鎵層(5)上濺射2nm鉑(6)做催化劑直接生長(zhǎng)透明導(dǎo)電層的石墨烯(7)；

步驟3：在生長(zhǎng)有石墨烯的襯底表面沉積一層金屬薄膜，之后利用光刻工藝將金屬薄膜腐蝕出圖形；最后，用圖形化后的金屬薄膜作為掩膜，對(duì)襯底進(jìn)行干法刻蝕，依次刻蝕掉沒有金屬薄膜的石墨烯(7)、鉑(6)、p型氮化鎵層(5)、有源層(4)，最終露出n型氮化鎵層(3)；

步驟4：將金屬薄膜用濕法腐蝕工藝腐蝕掉后，在襯底表面利用的“光刻—沉積電極—?jiǎng)冸x”的半導(dǎo)體工藝在襯底表面制備出p電極和n電極；

沉積電極的方法是電子束蒸發(fā)或磁控濺射；

p電極和n電極的材料是鈦金電極，或者是鎳金電極，或者是鎘金電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵上生長(zhǎng)石墨烯提高LED透明導(dǎo)電及散熱性的方法，其特征在于：金屬掩膜區(qū)域的材料是鎳、鈷或鎳銅合金。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種氮化鎵上生長(zhǎng)石墨烯提高LED透明導(dǎo)電及散熱性的方法，其特征在于：干法刻蝕采用ICP刻蝕，露出n型氮化鎵層，形成n型臺(tái)階。