[發明專利]基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器光對準方法

有效

• 申請號: 201910877513.3
• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN110631717B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 尤立星;張成俊;張偉君;孫興渠;李浩;王鎮
• 申請（專利權）人: 中國科學院上海微系統與信息技術研究所
• 主分類號: G01J11/00
• 分類號: G01J11/00
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所(普通合伙) 31233
• 代理人: 宋纓

1.一種基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，包括：

超導納米線單光子探測器；

若干個輔助曝光納米線結構，位于所述超導納米線單光子探測器外圍，且貼置于所述超導納米線單光子探測器的光敏面外邊緣，且所述輔助曝光納米線結構臨近所述超導納米線單光子探測器的一側與所述超導納米線單光子探測器的光敏面的邊緣無縫接觸；所述超導納米線單光子探測器的光敏面的外圍與所述超導納米線單光子探測器的光敏面的結構相同，在使用電子束曝光技術曝光形成所述超導納米線單光子探測器中的超導納米線時，避免臨近效應的影響，確保所述超導納米線單光子探測器的光敏面邊緣的所述超導納米線的線寬與光敏面中心的所述超導納米線的線寬相同，確保所述超導納米線單光子探測器中所述超導納米線的線寬均勻，提高所述超導納米線單光子探測器的性能，且所述輔助曝光納米線結構用于入射光與所述超導納米線單光子探測器的光敏面的光對準，包括將入射光投射于所述超導納米線單光子探測器上，使用所述超導納米線單光子探測器對所述入射光進行光探測，同時使用所述輔助曝光納米線結構判斷所述入射光的光斑是否偏離所述超導納米線單光子探測器的光敏面，并于所述入射光的光斑偏離所述超導納米線單光子探測器的光敏面時對所述入射光的入射方向進行調整。

2.根據權利要求1所述的基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，所述超導納米線單光子探測器包括多根超導納米線；各所述輔助曝光納米線結構均包括單根超導納米線。

3.根據權利要求2所述的基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，所述超導納米線單光子探測器中的多根所述超導納米線沿相同方向延伸構成互嵌式多像素結構；所述輔助曝光納米線結構貼置于所述互嵌式多像素結構的側面。

4.根據權利要求2所述的基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，所述輔助曝光結構中的所述超導納米線沿所述超導納米線單光子探測器的光敏面的周向呈曲折蜿蜒狀延伸。

5.根據權利要求2所述的基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，所述輔助曝光納米線結構中的超導納米線的線寬與所述超導納米線單光子探測器中的超導納米線的線寬相同。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，所述輔助曝光納米線結構的數量為多個，多個所述輔助曝光納米線結構分布于所述超導納米線單光子探測的光敏面相對的兩側。

7.根據權利要求1所述的基于輔助曝光結構的超導納米線單光子探測器，其特征在于，使用所述輔助曝光納米線結構判斷所述入射光的光斑是否偏離所述超導納米線單光子探測器的光敏面，并于所述入射光的光斑偏離所述超導納米線單光子探測器的光敏面時對所述入射光的入射方向進行調整包括如下步驟：

將所述輔助曝光納米線結構與多通道計數器相連接；

依據所述多通道計數器顯示的各所述輔助曝光納米線結構探測到的光計數的大小判斷所述光斑是否偏離所述超導納米線單光子探測器的光敏面；在所述光斑偏離所述超導納米線單光子探測器的光敏面時判斷所述光斑的偏離位置，依據所述光斑的偏離位置調整所述入射光的入射方向直至各所述輔助曝光納米線結構探測到的光計數相同。