[發(fā)明專利]具有微細間距硅穿孔封裝的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)及單元

在審

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• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN112397475A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡佩君;徐宏欣;張簡上煜;林南君
• 申請（專利權(quán)）人: 力成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/48;H01L23/31
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 孫乳筍;周永君

1.一種具有微細間距硅穿孔封裝的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，設(shè)置于一基板上，其特征在于，該扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)包含有：

一第一封裝單元，具有一半導(dǎo)體晶粒以及一硅中介層，該半導(dǎo)體晶粒以及該硅中介層嵌入封裝于一封膠體中，該第一封裝單元具有彼此相對的一下表面以及一上表面；以及

一第二封裝單元，設(shè)置于該第一封裝單元的該上表面上；

其中該第一封裝單元以該下表面設(shè)置于該基板上，其中該半導(dǎo)體晶粒的多個接點電連接于該基板上，該第二封裝單元的多個接點通過該硅中介層電連接于該基板上。

2.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅中介層以硅穿孔封裝貫穿該第一封裝單元，電連接該基板與該第二封裝單元。

3.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅中介層局部設(shè)置于該半導(dǎo)體晶粒一側(cè)。

4.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體晶粒以及該硅中介層彼此相鄰且位于同一封裝層中。

5.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅中介層包含一條或多條連接線路，通過一個或多個對應(yīng)的接觸墊連接該第二封裝單元與該基板。

6.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，該硅中介層于封膠前以硅工藝形成。

7.如權(quán)利要求1所述的扇出型封裝晶片結(jié)構(gòu)，其特征在于，另包含至少一重布線層，設(shè)置于該第一封裝單元的該下表面與該基板之間，該至少一重布線層包含多個接觸墊，該半導(dǎo)體晶粒的該多個接點以及該第二封裝單元的多個接點通過該硅中介層由該多個接觸墊電連接于該基板上。

8.一種具有微細間距硅穿孔封裝的扇出型封裝單元，設(shè)置于一基板上，其特征在于，該扇出型封裝單元具有一半導(dǎo)體晶粒以及一硅中介層，該半導(dǎo)體晶粒以及該硅中介層嵌入封裝于一封膠體中，該扇出型封裝單元具有彼此相對的一下表面以及一上表面，該扇出型封裝單元以該下表面設(shè)置于該基板上，且該半導(dǎo)體晶粒的多個接點電連接于該基板上。

9.如權(quán)利要求8所述的扇出型封裝單元，其特征在于，一上層封裝單元設(shè)置于該扇出型封裝單元的該上表面上，該上層封裝單元的多個接點通過該硅中介層電連接于該基板上。

10.如權(quán)利要求9所述的扇出型封裝單元，其特征在于，該硅中介層以硅穿孔封裝貫穿該扇出型封裝單元，電連接該基板與該上層封裝單元。

11.如權(quán)利要求8所述的扇出型封裝單元，其特征在于，該硅中介層局部設(shè)置于該半導(dǎo)體晶粒一側(cè)。

12.如權(quán)利要求8所述的扇出型封裝單元，其特征在于，該半導(dǎo)體晶粒以及該硅中介層彼此相鄰且位于同一封裝層中。

13.如權(quán)利要求8所述的扇出型封裝單元，其特征在于，該硅中介層包含一條或多條連接線路。

14.如權(quán)利要求8所述的扇出型封裝單元，其特征在于，該硅中介層于封膠前以硅工藝形成。

15.如權(quán)利要求8所述的扇出型封裝單元，其特征在于，另包含至少一重布線層，設(shè)置于該下表面與該基板之間，該至少一重布線層包含多個接觸墊，該半導(dǎo)體晶粒的該多個接點由該多個接觸墊電連接于該基板上。