[發明專利]一種局部鈍化接觸結構的制備方法

有效

• 申請號: 201910873413.3
• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN110610997B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 林建偉;陳嘉;季根華;劉志鋒
• 申請（專利權）人: 泰州中來光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京金之橋知識產權代理有限公司 11137
• 代理人: 李托弟

1.一種局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于，包含如下步驟：

S101、在晶體硅基體表面生長一層隧穿氧化層，然后在所述隧穿氧化層上沉積本征非晶硅層；

S102、在所述本征非晶硅層上局部印刷摻雜漿料并烘干；所述摻雜漿料為含磷漿料、或含硼漿料；

S103、對步驟S102處理后的晶體硅基體進行高溫熱處理，使得所述摻雜漿料中的摻雜元素在高溫下擴散進入所述本征非晶硅層中完成摻雜，以在印刷摻雜漿料區域形成重度摻雜多晶硅層，在未印刷摻雜漿料區域形成多晶硅層；

在熱處理過程中，通入氧氣或水蒸氣，以在所述重度摻雜多晶硅區域和多晶硅層上均形成氧化層；其中，所述印刷摻雜漿料區域的氧化層厚度大于所述未印刷摻雜漿料區域的氧化層厚度；

S104、將步驟S103處理后的晶體硅基體浸入HF溶液中，完全去除所述未印刷摻雜漿料區域的氧化層，去除部分所述印刷摻雜漿料區域的氧化層；

S105、將步驟S104處理后的晶體硅基體浸入堿性溶液中，進行選擇性刻蝕，去除多晶硅層；

S106、將步驟S105處理后的晶體硅基體浸入HF溶液中，去除剩余的所述印刷摻雜漿料區域的氧化層，并用去離子水漂洗后進行烘干。

2.根據權利要求1所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：所述晶體硅基體為N型晶體硅基體或P型晶體硅基體，其表面形貌設置為制絨面、拋光面、或刻蝕面。

3.根據權利要求1或2所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：所述隧穿氧化層厚度為0.5～5nm。

4.根據權利要求1或2所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：所述隧穿氧化層的制作材料為二氧化硅或二氧化鈦；其中，所述二氧化硅的制備方法為熱氧化法、濕氧化法、硝酸氧化法、臭氧氧化法、或原子層沉積法；所述二氧化鈦的制備方法為原子層沉積法。

5.根據權利要求1或2所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：所述本征非晶硅層的沉積方法為低壓化學氣壓沉積、等離子體增強化學氣相沉積或物理氣相沉積。

6.根據權利要求1或2所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：在步驟S104中，所述印刷摻雜漿料區域的氧化層厚度比所述未印刷摻雜漿料區域的氧化層厚度大30nm。

7.根據權利要求6所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：在步驟S104中，去除部分所述印刷摻雜漿料區域的氧化層，使得剩余的所述印刷摻雜漿料區域的氧化層厚度大于30nm。

8.根據權利要求1所述的局部鈍化接觸結構的制備方法，其特征在于：所述堿性溶液為氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨水、或四甲基氫氧化銨。