[發(fā)明專利]一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910872879.1 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110610850B | 公開(公告)日: | 2022-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊士成;曲媛;黃海濤;武江鵬;王峰;白浩;張婷;賈旭洲;姜威 | 申請(專利權(quán))人: | 西安空間無線電技術(shù)研究所 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 陳鵬 |
| 地址: | 710100*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 玻璃 激光 制孔后 清洗 方法 | ||
1.一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)將激光制孔后的玻璃基板使用研磨劑進行拋擦,去除孔周邊粘附的固體殘渣,拋擦完畢后將玻璃基板放入流動的去離子水中反復(fù)沖洗,以去除研磨劑;所述的使用研磨劑進行拋擦,包括:利用脫脂棉沾取少量研磨劑對玻璃基板沿一個方向進行拋擦,重點對孔周圍的區(qū)域進行反復(fù)拋擦,拋擦過程中玻璃基板保持平整,當(dāng)完成一面拋擦之后,對另外一面采取同樣的操作進行拋擦,每面的拋擦次數(shù)為2~3次,拋擦完成后用去離子水沖洗干凈后放在顯微鏡下觀察,直至孔周邊光滑無殘留;
(2)將玻璃基板浸入分析純的丙酮溶液中進行超聲清洗去除有機物;
(3)將玻璃基板浸入分析純的乙醇溶液中進行超聲清洗進行脫水;
(4)使用氧氣對玻璃基板進行等離子清洗去除微小顆粒;
(5)使用氬氣對玻璃基板進行等離子清洗去除氧化顆粒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:研磨劑的成分除包括二氧化硅之外,還包括碳酸鈣、磷酸氫鈣、焦磷酸鈣中的一種或者多種,為膏狀物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的使用研磨劑進行拋擦,當(dāng)制孔的孔直徑小于等于100um時需要配合超聲去除,超聲的頻率為20KHz~50KHz。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的將玻璃基板浸入分析純的丙酮溶液中進行超聲清洗去除有機物,包括:將玻璃基板垂直置于特氟龍的支架上,將載有玻璃基板的特氟龍支架浸入丙酮溶液中,丙酮的純度為分析純,且丙酮溶液需要完全浸沒玻璃基板;對丙酮溶液施加超聲進行超聲清洗,超聲的頻率在20~50KHz,時間長度為10~15分鐘;超聲結(jié)束后,上下反復(fù)提拉特氟龍支架2~3次,對玻璃基板進行涮洗,最后將支架緩慢拉出丙酮溶液,并靜置3~5分鐘。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的將玻璃基板浸入分析純的乙醇溶液中進行超聲清洗進行脫水,包括:將載有玻璃基板的特氟龍支架浸入乙醇溶液中,乙醇的純度為分析純,且乙醇溶液需要完全浸沒玻璃基板;對乙醇溶液施加超聲,進行超聲清洗,超聲的頻率應(yīng)在20~50KHz,時間長度為10~15分鐘;超聲結(jié)束后,上下反復(fù)提拉特氟龍支架2~3次,對玻璃基板進行涮洗,最后將支架緩慢拉出乙醇溶液,并靜置3~5分鐘,完成脫水。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的使用氧氣對玻璃基板進行等離子清洗去除微小顆粒,包括:使用晶圓夾將玻璃基板水平放到干凈的石英培養(yǎng)皿中,使其一面朝上,在真空度為0.7mbar~0.9mbar的真空環(huán)境中,使用氧氣對玻璃基板進行等離子清洗,氧氣的流量應(yīng)為200~300ml/min,等離子體射頻源激發(fā)的功率為600~700W,玻璃基板的單面清洗時間為20~40秒,單面清洗完成后,等待玻璃基板的溫度下降到25℃以下,再翻過來進行另外一面的氧氣等離子清洗。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的使用氧氣對玻璃基板進行等離子清洗去除微小顆粒,包括:使用汞燈烘烤玻璃基板,加速乙醇的干燥揮發(fā)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的使用氬氣對玻璃基板進行等離子清洗去除氧化顆粒,包括:使用晶圓夾將玻璃基板水平放到干凈的石英培養(yǎng)皿中,使其一面朝上,在真空度為0.7mbar~0.9mbar的真空環(huán)境中,使用氬氣對玻璃基板進行等離子清洗,氬氣的流量應(yīng)為500~700ml/min,等離子體射頻源激發(fā)的功率為500~700W,玻璃基板的單面清洗時間為5~15秒,單面清洗完成后,等待玻璃基板的溫度下降到25℃以下,再翻過來進行另外一面的氬氣等離子清洗。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種玻璃基板激光制孔后的清洗方法,其特征在于:所述的使用氬氣對玻璃基板進行等離子清洗去除氧化顆粒結(jié)束后,用石英蓋子蓋住培養(yǎng)皿,將玻璃基板轉(zhuǎn)運到金屬濺射工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





