[發(fā)明專利]一種溝道孔內(nèi)的阻擋氧化層生成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910872707.4 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN110620078B | 公開(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 艾義明;王孝進(jìn);李軍輝;沈保家;周靜蘭 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 深圳市六加知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44372 | 代理人: | 向彬 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 溝道 阻擋 氧化 生成 方法 | ||
1.一種溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,包括:
在溝道孔內(nèi)沉積氮化硅;
向反應(yīng)室內(nèi)通入生成阻擋氧化層的氧化反應(yīng)氣體,并通過預(yù)設(shè)的進(jìn)氣參數(shù)向反應(yīng)室通入惰性氣體;
反應(yīng)預(yù)設(shè)時間后得到形成在所述溝道孔內(nèi)的阻擋氧化層;
所述惰性氣體流通過溝道孔一側(cè)進(jìn)入溝道孔底部,隨后通過溝道孔的另一側(cè)吹出,形成惰性氣體流將氧化反應(yīng)氣體帶入溝道孔底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,所述惰性氣體為Ar。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,所述惰性氣體形成惰性氣體流,將氧化反應(yīng)氣體帶入溝道孔底部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,獲取溝道孔的形貌結(jié)構(gòu),從而設(shè)定惰性氣體的所述進(jìn)氣參數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,所述進(jìn)氣參數(shù)包括:進(jìn)氣角度、進(jìn)氣速度、氣體濃度、惰性氣體和氧化反應(yīng)氣體占比中的一項或者多項。
6.一種溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,包括:
溝道孔為雙疊層結(jié)構(gòu);
在溝道孔內(nèi)沉積氮化硅;
獲取溝道孔的形貌結(jié)構(gòu);
通過所述溝道孔的形貌結(jié)構(gòu),設(shè)定惰性氣體的進(jìn)氣參數(shù);
所述進(jìn)氣參數(shù)包括所述惰性氣體相對于晶圓表面的進(jìn)氣角度;
向反應(yīng)室內(nèi)通入生成阻擋氧化層的氧化反應(yīng)氣體,并通過上述進(jìn)氣角度向反應(yīng)室通入惰性氣體;
反應(yīng)預(yù)設(shè)時間后得到形成在所述溝道孔內(nèi)的阻擋氧化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,
所述溝道孔形貌結(jié)構(gòu)包括上溝道孔和下溝道孔的尺寸參數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,
所述溝道孔形貌結(jié)構(gòu)還包括上溝道孔和下溝道孔的偏差距離和偏差方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的溝道孔內(nèi)阻擋氧化層生成方法,其特征在于,所述進(jìn)氣參數(shù)包括:進(jìn)氣角度、進(jìn)氣速度、氣體濃度、惰性氣體和氧化反應(yīng)氣體占比中的一項或者多項。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





