[發明專利]DAB變換器的直流偏置的抑制方法、裝置及存儲介質

有效

• 申請號: 201910872334.0
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN110995000B
• 公開（公告）日: 2022-06-07
• 發明（設計）人: 尹健;魯健;洪嘉圖
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335;H02M1/32
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 賀紅星

1.一種DAB(Dual Active Bridge，雙向有源橋)變換器的直流偏置的抑制方法，其特征在于：所述方法包括：

獲取單移相控制下的DAB暫態過程的前一穩態的兩全橋之間的第一外移相角；其中，所述兩全橋分別輸出第一方波和第二方波，所述第一方波和第二方波之間的相位差值是所述第一外移相角，單移相控制為采用單極性單調制波的控制；

當進入DAB暫態過程時，分別改變所述第一方波和第二方波的脈寬，其中，所述當進入DAB暫態過程時，分別改變所述第一方波和第二方波的脈寬包括：

判斷第一方波是否超前第二方波；

如果超前，若使第一方波滯后第二方波，則增加第一方波的脈寬、且減小第二方波的脈寬；

如果不超前，若使第一方波超前第二方波，則減小第一方波的脈寬、且增加第二方波的脈寬；

根據改變脈寬后的第一方波和第二方波，獲取移相角；其中，改變脈寬后的第一方波和第二方波之間的相位差值為所述移相角；獲取DAB暫態過程的后一穩態的兩全橋之間的第二外移相角；

所述分別改變所述第一方波和第二方波的脈寬包括：

所述暫態過程包括第一暫態過程：在第一暫態過程中，不調整第二方波v_CD的脈寬，此時v_CD＝T；調整第一方波v_AB的脈寬，使v_AB的脈寬從T變為T_h1，其中，T表示第一全橋和第二全橋的開關的半個周期，T_h1＝(1+D₁-D₃)T，D₁表示第一外移相角，D₃表示第一暫態結束后v_CD與v_AB脈寬的相位差值；

所述暫態過程還包括第二暫態過程，所述分別改變所述第一方波和第二方波的脈寬還包括：

調整第一方波v_AB的脈寬，使v_AB的脈寬從T變為T_h2，其中，T_h2＝(1+D₃)T；同時調整第二方波v_CD的脈寬、使得v_CD＝T_s；

其中，T_s＝(1+D₂)T，D₂表示第二暫態結束后v_CD與v_AB脈寬的相位差值，N為變壓器原邊和副邊的比值。

2.如權利要求1所述的DAB變換器的直流偏置的抑制方法，其特征在于：所述獲取DAB暫態過程的前一穩態的兩全橋之間的第一外移相角包括：

獲取兩個全橋的交流輸出均為50％占空比的方波。

3.如權利要求1所述的DAB變換器的直流偏置的抑制方法，其特征在于：所述獲取DAB暫態過程的前一穩態的兩全橋之間的第一外移相角包括：

獲取單移相控制下的DAB暫態過程的前一穩態的兩全橋之間的第一外移相角。

4.一種DAB變換器的直流偏置的抑制裝置，其特征在于，所述裝置包括存儲器和處理器，所述存儲器上存儲有可在所述處理器上運行的DAB變換器的直流偏置的抑制程序，所述DAB變換器的直流偏置的抑制程序被所述處理器執行時實現如權利要求1至3中任一項所述的DAB變換器的直流偏置的抑制方法的步驟。

5.一種存儲介質，其特征在于，所述存儲介質上存儲有DAB變換器的直流偏置的抑制程序，所述DAB變換器的直流偏置的抑制程序可被一個或者多個處理器執行，以實現如權利要求1至3中任一項所述的DAB變換器的直流偏置的抑制方法的步驟。