[發(fā)明專利]電子裝置及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910871259.6
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN112505971A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡宗翰
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1343
• 分類號(hào): G02F1/1343;G02F1/1333
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

一第一基板；

多個(gè)移相電極，設(shè)置于所述第一基板上；

一第二基板，具有面向所述第一基板的一內(nèi)側(cè)；

多個(gè)貼片，設(shè)置于所述第二基板的所述內(nèi)側(cè)上；

一共用電極層；

一介電層，設(shè)置于所述共用電極層與所述第二基板之間，且設(shè)置于所述多個(gè)貼片上；以及

一液晶層，設(shè)置于所述多個(gè)移相電極與所述共用電極層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述介電層的一厚度大于或等于5微米，且小于或等于所述第二基板的一厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述介電層為一多層結(jié)構(gòu)。

4.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述介電層包括至少一聚酰亞胺膜。

5.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述介電層包括一凹陷，所述凹陷對應(yīng)于所述多個(gè)貼片的至少一者。

6.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述介電層包括一開口，所述開口對應(yīng)于所述多個(gè)貼片的至少一者。

7.如權(quán)利要求6所述的電子裝置，其特征在于，所述開口暴露出所述多個(gè)貼片的所述至少一者的一部分。

8.如權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述第二基板包括一凹陷，所述凹陷對應(yīng)于所述多個(gè)貼片的至少一者。

9.一種電子裝置，其特征在于，包括：

一第一基板；

多個(gè)移相電極，設(shè)置于所述第一基板上；

一介電層，設(shè)置于所述多個(gè)移相電極上；

多個(gè)貼片，設(shè)置于所述介電層上；

一共用電極層，設(shè)置于所述介電層與所述第一基板之間；

一液晶層，設(shè)置于所述多個(gè)移相電極與所述介電層之間；

一第一配向?qū)樱O(shè)置于所述多個(gè)移相電極與所述液晶層之間；以及

一第二配向?qū)樱O(shè)置于所述共用電極層與所述液晶層之間。

10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其特征在于，更包括：一蓋層，設(shè)置于所述介電層上且與所述多個(gè)貼片接觸。

11.一種電子裝置的制造方法，包括：

提供一第一基板；

形成多個(gè)移相電極于所述第一基板上；

提供一第二基板；

形成多個(gè)貼片于所述第二基板上；

形成一介電層于多個(gè)貼片上；

形成一共用電極層于所述介電層上，其中所述介電層位于所述共用電極層與所述第二基板之間；

將所述第一基板與所述第二基板對組，使多個(gè)貼片位于所述第二基板的一內(nèi)側(cè)，所述內(nèi)側(cè)面向所述第一基板；以及

形成一液晶層于所述第一基板與所述第二基板之間，所述液晶層位于多個(gè)移相電極與所述共用電極層之間。