[發明專利]一種樹脂型三維扇出集成封裝方法及結構

在審

• 申請號: 201910870943.2
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN110491792A
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 王成遷
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/52;H01L23/538;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 32340 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 楊立秋<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，包括：

提供旋涂有臨時鍵合膠的載板，并在所述臨時鍵合膠上設置母芯片和銅柱；

進行第一次塑封，通過倒裝焊工藝使第一組子芯片和所述母芯片電性互連，再次進行塑封；

通過減薄工藝使所述母芯片露出背面硅基，在母芯片背面和樹脂基體刻蝕出若干個凹槽并分別埋入第二組子芯片；

用干膜材料填充所述第二組子芯片和凹槽的空隙，并制作n層再布線；

制作阻焊層和錫球凸點，最后通過研磨、切割制作成單顆三維扇出型封裝體。

2.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，所述母芯片通過貼裝方法設置，且其金屬焊盤朝下；所述銅柱通過植柱方法設置；

所述母芯片和所述銅柱的數量均不小于1個，所述母芯片厚度不高于所述銅柱高度。

3.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，進行第一次塑封，通過倒裝焊工藝使第一組子芯片和所述母芯片電性互連，再次進行塑封包括：

通過樹脂基體進行晶片級塑封，使其完全包裹所述母芯片和所述銅柱；

拆除所述載板并清洗干凈所述臨時鍵合膠；

通過多層再布線工藝在所述母芯片的金屬焊盤處形成n層再布線，并生長凸點；

使用倒裝焊工藝使第一組子芯片與所述母芯片電性互連；

通過樹脂基體再次進行塑封，使其完全包裹所述第一組子芯片。

4.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，刻蝕出若干個凹槽并分別埋入第二組子芯片包括：

利用光刻或干法刻蝕工藝在所述母芯片背面刻蝕若干個第一凹槽；利用激光燒蝕或噴砂工藝在第一次塑封的樹脂基體處制作若干個第二凹槽；

在所述第一凹槽和所述第二凹槽中通過永久鍵合膠埋入第二組子芯片，其金屬焊盤朝外；

所述永久鍵合膠為高分子材質。

5.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，用干膜材料填充所述第二組子芯片和凹槽的空隙，并制作n層再布線包括：

通過真空壓干膜工藝將干膜材料填充到所述第二組子芯片和凹槽的空隙，并鋪滿整個平面；

在所述母芯片和所述第二組子芯片的金屬焊盤和所述銅柱處開口并利用光刻、物理氣相沉積、電鍍和化鍍工藝制作n層再布線；其中，

所述干膜材料為高分子材質。

6.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，所述第一組子芯片和所述第二組子芯片均是包括數模、射頻、無源器件、DSP、存儲和橋連接的芯片，其數量均不小于1個。

7.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，所述母芯片是包括FPGA、CPU和GPU的處理器芯片。

8.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，所述載板的材質為金屬或玻璃。

9.如權利要求1所述的樹脂型三維扇出集成封裝方法，其特征在于，所述臨時鍵合膠為高分子材質。

10.一種樹脂型三維扇出集成封裝結構，其特征在于，包括：

塑封在樹脂基體中的母芯片和銅柱，所述母芯片和銅柱的第一面通過n層再布線和凸點與第一組子芯片電連；所述第一組子芯片塑封在樹脂基體中；

所述母芯片的第二面和樹脂基體中埋置有第二組子芯片，所述第二組子芯片依次連有n層再布線和凸點，通過所述凸點與外部電連。