[發明專利]一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs及其制備方法

有效

• 申請號: 201910870403.4
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN110660923B
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 馬東閣;徐增;代巖峰;孫倩;喬現鋒;秦安軍;趙祖金;唐本忠
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 羅嘯秋

1.一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs，其特征在于：所述OLEDs的發光層由磷光客體摻雜主體紅光發光層、非摻雜AIE綠光發光層、間隔層、非摻雜AIE藍光發光層從陽極到陰極依次組成；

所述非摻雜AIE綠光發光層的厚度為6～10nm，所采用的AIE綠光材料為CP-BP-PXZ，其分子結構如下式所示：

所述間隔層的厚度為2～3nm，間隔層的材料為TCTA；

所述非摻雜AIE藍光發光層的厚度為5～20nm，所采用的AIE藍光材料為TPB-AC，其分子結構如下式所示：

所述基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs依次包括ITO陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及金屬陰極。

2.根據權利要求1所述的一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs，其特征在于：所述紅光發光層厚度為5～8nm，紅光發光層中的磷光客體材料為Ir(dmdppr-mp)₂(divm)，主體材料為TCTA，磷光客體材料摻雜于主體材料中的質量濃度為2～5％。

3.根據權利要求1所述的一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs，其特征在于：所述空穴注入層采用HAT-CN、CuPc、MoO₃或者ReO₃，空穴注入層的厚度為5～10nm。

4.根據權利要求1所述的一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs，其特征在于：所述空穴傳輸層采用TAPC，厚度為40～50nm；所述電子阻擋層采用TCTA，厚度為5～10nm。

5.根據權利要求1所述的一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs，其特征在于：所述電子傳輸層采用TmPyPB，厚度為40～50nm；所述電子注入層采用LiF，厚度為1nm；所述金屬陰極采用鋁陰極，厚度為100～150nm。

6.權利要求1～5任一項所述的一種基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：

將ITO陽極經預處理后依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、電子傳輸層、電子注入層以及金屬陰極，得到所述基于AIE材料的熒光/磷光混合型白光OLEDs。