[發明專利]破壞試驗裝置和碎片回收方法

在審

• 申請號: 201910869125.0
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN110970316A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 松崎榮;野村祐太朗
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;H01L21/677
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供破壞試驗裝置和碎片回收方法。破壞試驗裝置具有：芯片破壞單元，其能夠將芯片破壞；和碎片回收單元，其配設在芯片破壞單元的下方，在正面上具有對被芯片破壞單元破壞的芯片的碎片進行保持的碎片保持面，芯片破壞單元按照使要被破壞的芯片的破壞起點面對碎片回收單元的碎片保持面的方式將芯片破壞。碎片回收單元的碎片保持面可以沿著水平面。芯片破壞單元可以具有芯片夾持單元和移動單元，芯片夾持單元具有：第一芯片支承部，其具有沿著鉛垂方向的第一面；和第二芯片支承部，其具有與第一面面對的沿著鉛垂方向的第二面，芯片夾持單元對彎曲成U字狀的芯片進行夾持，移動單元使第一芯片支承部和第二芯片支承部向相互接近的方向相對移動。

技術領域

本發明涉及在將芯片破壞而對該芯片的性質進行解析時所使用的破壞試驗裝置以及對破壞后的芯片的碎片進行回收的碎片回收方法。

背景技術

搭載有器件的芯片是對由半導體材料等形成的晶片進行分割而形成的。首先，在晶片的正面上設定相互交叉的多條分割預定線，在由該分割預定線劃分的區域內分別形成有IC(Integrated Circuit：集成電路)、LSI(Large-Scale Integrated circuit：大規模集成電路)等器件。并且，當沿著該分割預定線對該晶片進行分割時，形成具有器件的各個芯片。

近年來，搭載有所形成的芯片的電子設備等的小型化的傾向顯著，對于芯片本身，小型化或薄型化的需求也在提高。因此，為了形成薄型的芯片，有時在將晶片分割之前對晶片的背面側進行磨削而使晶片薄化。

另外，當對所形成的芯片施加較大的沖擊時，有時在該芯片上產生裂紋或碎裂等損傷從而器件的功能喪失。例如在所形成的芯片的抗彎強度較小的情況下，存在容易在該芯片上產生損傷的趨勢。

芯片的抗彎強度例如根據通過將晶片薄化時所實施的磨削而形成在背面側的凹凸等的形狀、薄化后的晶片的厚度、將晶片分割時產生在芯片的外周緣的缺損或裂紋的形成狀態等而發生變化。另外，芯片的抗彎強度根據器件的圖案的形狀、構成器件的部件的材質等而發生變化。

因此，為了制造抗彎強度高的芯片，通過各種加工條件對晶片進行加工而試制芯片，并對試制的各種芯片的抗彎強度進行評價。并且，根據評價的結果，選定更優選的晶片的加工條件。對芯片的抗彎強度進行評價的方法中例如有SEMI(Semiconductor Equipmentand Materials International：國際半導體產業協會)標準G86-0303所限定的3點彎曲(3-Point Bending)法。

在3點彎曲法中，在對板狀的測量對象物的抗彎強度進行測量時，將兩個圓柱狀的支承體放倒而相互平行地排列，按照相對于該支承體不固定的方式將該測量對象物載置于該支承體的側面上。然后，將圓柱狀的壓頭與該兩個支承體平行地配置在該兩個支承體之間的該測量對象物的上方。然后，通過該壓頭從上方按壓該測量對象物而將其破壞，將此時施加至該測量對象物的負載作為該測量對象物的抗彎強度而進行評價(參照專利文獻1)。

另外，當明確了芯片如何被逐漸破壞或破壞進展的過程及細節時，有利于求出能夠制造抗彎強度高且不容易被破壞的芯片的加工條件。對于通過3點彎曲法進行芯片的破壞的過程，目前進行了大量的解析，其細節也變得明確。

專利文獻1：日本特開2014-222714號公報

近年來，制造厚度為30μm以下的極薄的芯片。當為了對該極薄的芯片的抗彎強度進行評價而想要實施基于3點彎曲法的測量時，在測量時即使利用壓頭對芯片進行按壓，芯片也只是發生撓曲而無法將芯片破壞。因此，無法測量該芯片的抗彎強度。因此，期望開發出即使是極薄的芯片也能夠將其破壞的方法。若能夠通過特定的方法將極薄的芯片破壞，則能夠對芯片的強度進行評價。