[發(fā)明專利]一種大腸癌免疫傳感器的制備及其檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910864511.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110632304A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉洋;黎玉鳳;李旺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣西華銀醫(yī)學(xué)檢驗(yàn)所有限公司
• 主分類號(hào): G01N33/574
• 分類號(hào): G01N33/574;B01L3/00
• 代理公司: 45123 南寧深之意專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙)
• 代理人: 黃南概

本發(fā)明公開(kāi)了本發(fā)明提供了一種大腸癌免疫傳感器的制備及其檢測(cè)方法，采用如下步驟制備：采用絕緣硅片作為底層；制備半導(dǎo)體層和導(dǎo)電層；刻蝕呈三角分布的槽孔，三角分布的槽孔分別作為免疫傳感器的源電極、漏電極和柵電極；形成了半導(dǎo)體硅與導(dǎo)電層之間的歐姆接觸；用采用電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)制作出多個(gè)微流控通道、液體出口通道和入口通道，清除殘留物；進(jìn)行非特異性活性處理，保存于3?4℃溫度下備用，得到免疫傳感器。傳感器在檢測(cè)應(yīng)用上，靈敏度高、準(zhǔn)確度高，能實(shí)時(shí)反應(yīng)且免于標(biāo)記。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及醫(yī)學(xué)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，更具體是涉及一種大腸癌免疫傳感器的制備用及其檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

大腸癌引起的死亡者在增加，與其他癌相比，大腸癌在早期發(fā)現(xiàn)、并進(jìn)行合適治療的情況下的5年生存率非常高，因而大腸癌的群體篩查(mass screening)是最有效果的方法之一。

為了大腸癌的確診，一般進(jìn)行能夠直接視覺(jué)確認(rèn)大腸內(nèi)的內(nèi)視鏡檢查，再視需要進(jìn)行患處的活體檢查。然而，這些方法是侵襲性的，且需要高度的專業(yè)技術(shù)，因此不適合群體篩查這樣的初篩。

非侵襲性檢測(cè)大腸癌的方法，有以糞便中所含的成分作為指標(biāo)的方法。糞便中包含從癌組織剝離的細(xì)胞，因而，可以認(rèn)為糞便的組成能夠反映消化道病變。因此，以正常組織中幾乎不表達(dá)、但癌組織中高表達(dá)的基因作為生物標(biāo)記，以糞便中該基因的 mRNA 量、癌胚抗原（CEA），CA19-9等作為指標(biāo)，以它們?cè)诩S便中的含量作為指標(biāo)，來(lái)檢測(cè)大腸癌。然而，存在的問(wèn)題是 ：使用這些生物標(biāo)記時(shí)的靈敏度基本上與便潛血法程度等同或者較之更低。特別是，上述任何生物標(biāo)記對(duì)早期癌、進(jìn)行性腺瘤的檢測(cè)靈敏度均比便潛血法還要差。因此，強(qiáng)烈希望開(kāi)發(fā)以免于標(biāo)記且靈敏度高的方法。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種大腸癌免疫傳感器的制備方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種大腸癌免疫傳感器的制備方法，其特征在于，采用如下步驟制備：

（1）采用絕緣硅片作為底層；

（2）通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法將厚度為15nm的二氧化硅（SiO2）薄片沉積在絕緣硅片的表面成半導(dǎo)體層，而后用化學(xué)氣相沉積工藝將二氧化鈦?zhàn)鳛閷?dǎo)電層，并對(duì)其鈍化；

（3）用 Nikon 步進(jìn)光刻儀在絕緣層表面上刻蝕呈三角分布的槽孔，三角分布的槽孔分別作為免疫傳感器的源電極、漏電極和柵電極 ，其中源極與漏極的槽孔之間通過(guò)設(shè)置間隔層將源極與漏極之間的導(dǎo)電層斷開(kāi)以絕緣；

（5）孔槽中形成源電極、漏電極和柵電極通過(guò)金屬沉積法制備，而后采用采用酸性溶液進(jìn)行處理；

（6）將1-5步驟制成的半成品在410-450℃環(huán)境中進(jìn)行快速熱退火處理，形成了半導(dǎo)體硅與導(dǎo)電層之間的歐姆接觸；

（7）采用電感耦合等離子體刻蝕技術(shù)制作出多個(gè)微流控通道、液體出口通道和入口通道，清除殘留物；

（8）對(duì)將1-7制成的傳感器放入含有4%的3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）無(wú)水乙醇溶液中，時(shí)間為20分鐘，用含有0.4%的磷酸緩沖溶液（PBST）淋洗修飾電極，滴涂20 μL 6% 牛血清蛋白，封閉電極上的非特異性活性位點(diǎn)，保存于3-4℃溫度下備用，得到免疫傳感器。

優(yōu)選地，所述絕緣硅片為邊緣薄中間厚的方形或圓形，所述絕緣片厚度范圍是40-60 nm。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層的厚度在6-15納米之間，且所述導(dǎo)電層通過(guò)連接納米線與半導(dǎo)體檢測(cè)裝置的探針。

優(yōu)選地，所述間隔層可以是采用刻蝕法在源極與漏極之間開(kāi)凹槽。