[發明專利]一種基于RX MASK中心點陣的信號眼圖分析方法

有效

• 申請號: 201910864147.8
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN110674614B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 王彥輝;鄭浩;李川;張春林;劉驍;胡晉;張弓;於凌
• 申請（專利權）人: 無錫江南計算技術研究所
• 主分類號: G06F30/392
• 分類號: G06F30/392
• 代理公司: 浙江千克知識產權代理有限公司 33246
• 代理人: 裴金華

本發明提供一種基于RX?MASK中心點陣的信號眼圖分析方法，涉及存儲系統工程化技術領域，包括以下步驟：S1：獲取存儲數據信號仿真眼圖；S2：自定義有效Rx?MASK規格尺寸；S3：統計有效Rx?MASK中心點陣；S4：基于MASK中心點陣對存儲信號眼圖進行分析評價；S5：獲得最佳中心點以及擺幅裕量和時序裕量。本發明一種基于RX?MASK中心點陣的信號眼圖分析方法優選互連拓撲參數，優化訪存信號通道，量化存儲數據信號眼圖質量評判標準，并確保存儲系統有充分的設計裕量，還可以模擬訓練機制的作業過程，根據擺幅和時序優先級權重配比，選擇最恰當的中心點，計算對應的擺幅裕量、時序裕量。

技術領域

本發明涉及存儲系統工程化技術領域，尤其是，本發明涉及一種基于RX?MASK中心點陣的信號眼圖分析方法。

背景技術

計算機體系結構的重要組成部分，先進存儲系統對于全系統性能指標、集成規模與穩定運行都有著決定性的影響。現階段，一種傳統高速并行存儲電路技術，DDR(DoubleData?Rate)系列內存廣泛應用。相比DDR2/3，新一代DDR4以及未來DDR5訪存速率大幅提升，這對訪存信號通道設計能力也提出了更加嚴苛的要求。與前幾代定義Vih/Vil判定電平不同，DDR4?SDRAM規范標準JESD79-4B定義了數據信號接收機RX?MASK大小。在此，定義一個矩形MASK，其中心點坐標(VMIDPOINT,?TDQS)，要求信號的波形/眼圖不能進入該MASK，以確保一定水準的誤碼率。例如，DDR4-3200對應MASK區域高度為110mV、寬度為0.23UI，以達到1E-16誤碼率水準，其中1?UI?=?312.5ps。

基于JEDEC標準定義，在仿真眼圖中植入RX?MASK，這種常規方法僅能夠初步判定一個訪存信號通道設計能否滿足標準要求。例如，科學放置RX?MASK，保證存儲數據信號眼圖內沿跡線未進入RX?MASK，那么就算滿足JEDEC標準電氣要求了。此時，常規方法仍有幾個問題難以解決。第一個問題在于，標準RX?MASK僅為確保正確識別的最低要求，有些情況下會造成系統設計缺少足夠的設計裕量，難以抵御惡劣運行環境及其它SI/PI噪聲影響。第二個問題在于，DDR內存互連拓撲參數組合極多，例如驅動內阻(RON)、終端端接(RODT)、傳輸通道(Z0)、負載情況(SR/DR)等，常規方法有時很難量化對比哪種參數組合的系統設計裕量更大。第三個問題在于，與前幾代采用SSTL-12?(Fixed?VREF)不同，DDR4采用了POD-12接口電路技術，訓練階段不僅僅要考慮時序(Timing)情況，還必須考慮變化的參考電壓(Variable?VREF)情況，即有必要綜合考慮信號擺幅(Voltage)和時序(Timing)。第四個問題在于，忽略了存控訓練的VREF電壓、時序參數的實際調節能力。第五個問題在于，信號眼圖內沿1/4跡線未必會表現為單調(遞增或遞減)特性，這種不規則眼圖對中心點(VMIDPOINT,?TDQS)選擇方式提出了新的更高要求。

綜上所述，常規方法難以有效判定存儲數據信號眼圖質量，難以科學、合理地挑選最理想的中心點位置，所以，如何設計一種合理的基于RX?MASK中心點陣的信號眼圖分析方法，成為我們當前急需要解決的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種方便模擬存控訓練實際流程步驟，綜合分析信號擺幅與時序裕量，科學指導訪存互連拓撲參數選取以及訪存信號通道設計的基于RX?MASK中心點陣的信號眼圖分析方法。

為達到上述目的，本發明采用如下技術方案得以實現的：

一種基于RX?MASK中心點陣的信號眼圖分析方法，該方法包括以下步驟：

S1：獲取用于開展分析的存儲數據信號仿真眼圖；

S2：自定義有效RX?MASK的規格尺寸；

S3：統計有效RX?MASK中心點陣；

S4：基于MASK中心點陣對存儲信號眼圖進行分析評價；