[發明專利]基板磨削裝置以及基板磨削方法有效
| 申請號: | 201910863453.X | 申請日: | 2019-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN110900313B | 公開(公告)日: | 2023-09-29 |
| 發明(設計)人: | 井出悟;三井貴彥;坂東翼;高岡和宏 | 申請(專利權)人: | 株式會社岡本工作機械制作所 |
| 主分類號: | B24B1/00 | 分類號: | B24B1/00;B24B27/00;B24B41/02;B24B41/04;B24B41/06 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 崔迎賓;李雪春 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磨削 裝置 以及 方法 | ||
本發明提供一種基板磨削裝置以及基板磨削方法?;迥ハ餮b置具備:工作臺,在吸附并保持基板的狀態下旋轉;杯形的第一磨削砂輪,一邊旋轉一邊磨削保持于所述工作臺并旋轉的所述基板;以及杯形的第二磨削砂輪,與所述第一磨削砂輪同時接近所述基板而一邊旋轉一邊磨削所述基板。
本申請以2018年09月13日向日本專利局提交的日本專利申請2018-171475為基礎,享受該申請的優先權。本申請通過參照該申請而包括該申請的全部內容。
技術領域
本發明的實施方式涉及基板磨削裝置以及基板磨削方法。
背景技術
以往,作為基板磨削方法,通過將旋轉的杯形的磨削砂輪向下切入到保持于工作臺而旋轉的加工對象物的基板的上表面來磨削基板已被公眾所知。例如,在日本專利發明公報特開2017-103441號中發明了通過杯形磨削砂輪對固定在吸附卡盤上的硅基板進行向下切入磨削加工。
此外,例如在日本專利發明公報特開2009-4406號中發明了具備由粗磨削用的磨削單元和精磨削用的磨削單元構成的兩臺磨削單元的半導體晶片的磨削裝置。根據該文獻所發明的磨削裝置,通過轉臺向R方向旋轉規定角度,將保持于卡盤工作臺的晶片送入粗磨削用磨削單元的下方的一次加工位置。晶片在該位置處由粗磨削用的磨削單元粗磨削。接著,通過轉臺再次向R方向旋轉規定角度,將晶片送入精磨削用的磨削單元的下方的二次加工位置。晶片在該位置處由精磨削用的磨削單元精磨削。
此外,例如在日本專利發明公報特開2014-65082號中發明了保持在保持工作臺上的藍寶石、SiC或者GaN等基板用的磨削裝置。在該磨削裝置中,設定有用于粗磨削基板的粗磨削位置、用于中磨削基板的中磨削位置以及用于精磨削基板的精磨削位置。在粗磨削位置、中磨削位置和精磨削位置分別設置有磨削裝置。進而,這些磨削裝置呈直線狀配置。按照粗磨削、中磨削和精磨削的順序對基板進行串聯處理。
發明內容
一種基板磨削裝置,具備:工作臺,在吸附并保持基板的狀態下旋轉;杯形的第一磨削砂輪,一邊旋轉一邊磨削保持于所述工作臺并旋轉的所述基板;以及杯形的第二磨削砂輪,與所述第一磨削砂輪同時接近所述基板而一邊旋轉一邊磨削所述基板,所述第一磨削砂輪的粒度大于所述第二磨削砂輪的粒度,所述第一磨削砂輪構成為其磨削范圍具有大于所述工作臺的半徑的直徑,并且設置在所述磨削范圍包括所述基板的旋轉中心的位置,所述第二磨削砂輪構成為其磨削范圍具有大于所述工作臺的半徑的直徑,并且設置在接近所述基板的旋轉中心且不與所述第一磨削砂輪接觸的位置。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的概要的俯視圖。
圖2是表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的磨削臺附近的俯視圖。
圖3是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的磨削臺附近的縱截面圖。
圖4是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的粗磨削工序中的基板的旋轉中心附近的縱截面圖。
圖5是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的精磨削工序中的基板的旋轉中心附近的縱截面圖。
圖6是示意性地表示本發明的實施方式的基板磨削裝置的精磨削工序中的基板的旋轉中心附近的縱截面圖。
附圖標記說明:
10:基板磨削裝置;11:精磨削砂輪;12:砂輪刃尖;14:精磨削立柱;15:粗磨削砂輪;16:砂輪刃尖;18:粗磨削立柱;20:工作臺;21:旋轉中心;22:粘貼殼體;23:待機臺;24:磨削臺;25:控制盤;26:尺寸確定裝置;30:基板;31:上表面;32:凸部。
具體實施方式
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