[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910862801.1
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN111128996A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 金秀貞;金仁模
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張波

一種半導體器件包括：形成在襯底中的防護有源區域；多個晶體管，設置在與防護有源區域相鄰的元件區域中，每個晶體管包括有源區域和交叉有源區域的柵極結構；以及二極管晶體管，設置在晶體管當中的第一晶體管和第二晶體管之間，并且具有連接到防護有源區域的二極管柵極結構、連接到第一晶體管的柵極結構的第一有源區域和連接到第二晶體管的柵極結構的第二有源區域。

技術領域

與本發明構思的示例實施方式一致的裝置和方法涉及半導體器件。

背景技術

半導體器件的制造工藝包括多個單元工藝，并且已經提出了各種方法用于在執行多個單元工藝的同時保護已形成的半導體元件。為了顯著減少已經通過單元工藝形成的半導體封裝可能遭受的損壞，可以在半導體襯底中額外地形成各種保護元件。然而，考慮到在有限的區域內設置盡可能多的半導體元件的必要性，可能發生半導體器件的集成度由于設置保護元件而降低或者設計自由度減小的問題。

發明內容

本發明構思的示例實施方式提供了能夠通過以晶體管形式提供用于保護多個晶體管的二極管而提高布局設計的自由度并防止對柵電極的損壞的半導體器件。

根據示例實施方式的一方面，提供了一種半導體器件，其可以包括：形成在襯底中的防護有源區域；多個晶體管，設置在與防護有源區域相鄰的元件區域中，每個晶體管包括有源區域和交叉有源區域的柵極結構；二極管晶體管，設置在晶體管當中的第一晶體管和第二晶體管之間，并且具有連接到防護有源區域的二極管柵極結構、連接到第一晶體管的柵極結構的第一有源區域和連接到第二晶體管的柵極結構的第二有源區域。

根據示例實施方式的一方面，提供了一種半導體器件，其可以包括：形成在襯底中的防護有源區域；第一晶體管，在第一方向上與防護有源區域相鄰，并且包括有源區域和交叉有源區域的柵極結構；以及二極管晶體管，在交叉第一方向的第二方向上與第一晶體管相鄰，并且包括二極管柵極結構和第一有源區域，二極管柵極結構在第一方向上延伸并連接到防護有源區域，第一有源區域設置在二極管柵極結構和第一晶體管之間并連接到第一晶體管的柵極結構。

根據示例實施方式的一方面，提供了一種半導體器件，其可以包括：襯底；多個晶體管，形成在襯底中，并且包括用第一導電類型的雜質摻雜的有源區域和交叉有源區域的柵極結構；防護有源區域，在襯底中形成為與晶體管相鄰，并且用第一導電類型的雜質摻雜；以及二極管晶體管。二極管晶體管可以包括：二極管柵極結構，連接到防護有源區域；以及第一有源區域和第二有源區域，設置在二極管柵極結構的相反兩側并且配置為將由等離子體離子產生的電流傳遞到襯底。

附圖說明

以上及另外的方面、特征和優點將由以下結合附圖的詳細描述被更清楚地理解，附圖中：

圖1是示出根據一示例實施方式的半導體器件的俯視圖；

圖2是示出根據一示例實施方式的半導體器件的局部區域的俯視圖；

圖3是根據圖2所示的示例實施方式的半導體器件的沿線I-I'截取的剖視圖；

圖4是根據圖2所示的示例實施方式的半導體器件的沿線II-II'截取的剖視圖；

圖5是根據圖2所示的示例實施方式的半導體器件的沿線III-III'截取的剖視圖；

圖6是示出根據一示例實施方式的半導體器件的局部區域的俯視圖；

圖7是根據圖6所示的示例實施方式的半導體器件的沿線IV-IV'截取的剖視圖；

圖8是根據圖6所示的示例實施方式的半導體器件的沿線V-V'截取的剖視圖；

圖9是示出根據一示例實施方式的半導體器件的局部區域的俯視圖；

圖10是根據圖9所示的示例實施方式的半導體器件的沿線VI-VI'截取的剖視圖；