[發明專利]具有減少的缺陷的半導體外延結構

在審

• 申請號: 201910862592.0
• 申請日: 2019-09-12
• 公開（公告）號: CN112490278A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 張峻銘;侯俊良;廖文榮;盧明昌
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/10;H01L29/15;H01L29/778
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具有減少的缺陷的半導體外延結構，其特征在于，該具有減少的缺陷的半導體外延結構包含：

基底，該基底上具有凹槽；

島狀絕緣體，設置在該凹槽的底面上；

間隔壁，設置在該凹槽的側壁上；

緩沖層，設置在該凹槽中并蓋住該島狀絕緣體；

通道層，設置在該凹槽中以及該緩沖層上；以及

阻障層，設置在該凹槽中以及該通道層上，其中該阻障層、該通道層以及該緩沖層都為該間隔壁所圍繞，且該通道層中形成二維電子氣或是二維空穴氣。

2.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該島狀絕緣體從該基底向上漸縮。

3.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該島狀絕緣體向下漸縮至該基底。

4.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該間隔壁該基底向上漸縮。

5.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該間隔壁向下漸縮至該基底。

6.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該緩沖層由下而上依序包括成核層、超晶格層、以及碳摻雜氮化鎵層。

7.根據權利要求6所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該成核層的材料為氮化鋁鎵或氮化鋁。

8.根據權利要求6所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該超晶格層為氮化鋁鎵/氮化鎵的交互疊層或是氮化鋁鎵/氮化銦鎵的交互疊層。

9.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該通道層的材料為未摻雜氮化鎵。

10.根據權利要求1所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該阻障層的材料為氮化鋁鎵。

11.一種具有減少的缺陷的半導體外延結構，其特征在于，該具有減少的缺陷的半導體外延結構包含：

基底；

絕緣層，設置在該基底上，其中該絕緣層中具有一凹槽裸露出該基底；

島狀絕緣體，設置在該凹槽中的該基底上；

間隔壁，設置在該凹槽的側壁上；

緩沖層，設置在該凹槽中并蓋住該島狀絕緣體；

通道層，設置在該凹槽中以及該緩沖層上；以及

阻障層，設置在該凹槽中以及該通道層上，其中該阻障層、該通道層以及該緩沖層都為該間隔壁所圍繞，且該通道層中形成二維電子氣或是二維空穴氣。

12.根據權利要求11所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該島狀絕緣體從該基底向上漸縮。

13.根據權利要求11所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該島狀絕緣體向下漸縮至該基底。

14.根據權利要求11所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該間隔壁該基底向上漸縮。

15.根據權利要求11所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該間隔壁向下漸縮至該基底。

16.根據權利要求11所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該緩沖層由下而上依序包括成核層、超晶格層、以及碳摻雜氮化鎵層。

17.根據權利要求16所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該成核層的材料為氮化鋁鎵或氮化鋁。

18.根據權利要求16所述的具有減少的缺陷的半導體外延結構，其中該超晶格層為氮化鋁鎵/氮化鎵的交互疊層或是氮化鋁鎵/氮化銦鎵的交互疊層。