[發明專利]一種二氧化釩納米線及其制備方法、應用

在審

• 申請號: 201910860496.2
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN111204805A
• 公開（公告）日: 2020-05-29
• 發明（設計）人: 張振華;趙曉迪;郭俊杰
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: C01G31/02
• 分類號: C01G31/02
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏;薄盈盈

1.一種二氧化釩納米線，其特征在于，所述二氧化釩納米線由外延生長法制得，所述二氧化釩納米線同向分布，所述二氧化釩納米線的長度為3～13μm，直徑為0.3～1.2μm，長徑比為2.5～43。

2.一種如權利要求1所述的二氧化釩納米線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)清洗襯底；

(2)將釩源和襯底一并放在加熱容器里，然后放入管式爐中，控制爐內的真空度到10Pa以下；

(3)通入氧、氬混合氣體，將管式爐進行升溫，并保溫；

(4)通入純氬氣，先降溫，然后保溫；

(5)降溫取出襯底，即在襯底表面制得二氧化釩納米線。

3.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(1)中，所述釩源為五氧化二釩；所述襯底為藍寶石襯底；所述藍寶石襯底為r方向切割，基面為(1-102)晶面，單面拋光。

4.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(1)中，清洗工藝為采用無水乙醇和去離子水交替循環超聲清洗10～20min。

5.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(2)中，襯底放置方式為：將襯底的正面朝下，距離釩源4～6cm處。

6.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(3)中，所述氧氬混合氣體的流量為80～100sccm；所述氧氬混合氣體中氧氣的體積分數為20％，氬氣的體積分數為80％；步驟(4)中，所述純氬氣的流量為80～100sccm。

7.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(3)中，管內壓強控制在110～150Pa。

8.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(3)中，升溫時間和保溫時間均為30～40min；保溫溫度為850～900℃。

9.根據權利要求2所述的一種外延生長大規模直立二氧化釩納米線的方法，其特征在于，步驟(4)中，降溫幅度為在步驟(3)的保溫溫度基礎上降低20～25℃；保溫時間為10～15min。

10.一種如權利要求1所述的二氧化釩納米線在場效應管、傳感器、熱敏電阻、光信息儲存領域中的應用。