[發明專利]一種紫外發光二極管及其制備方法

在審

• 申請號: 201910858779.3
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110649130A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發明（設計）人: 霍瑞霞;崔志勇;薛建凱;郭凱
• 申請（專利權）人: 北京中科優唯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/10;H01L33/38;H01L33/00
• 代理公司: 11390 北京和信華成知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 張宏偉

1.一種紫外發光二極管，其特征在于，其包括：

紫外發光二極管的外延結構，所述紫外發光二極管的外延結構包括N型半導體材料層、量子阱和P型半導體材料層；

微孔結構層，設置在所述外延結構的P型半導體材料側，所述微孔結構層包括微孔區域和電極匹配區域；所述微孔區域中形成有空心孔洞；所述電極匹配區域與紫外發光二極管芯片的負極電極的形狀相匹配，所述電極匹配區域為實心區域；

P型歐姆接觸層，所述P型歐姆接觸層為金屬材料層，其一側形成在所述微孔結構層上；

鍵合層，鍵合層設置在P型歐姆接觸層與所述微孔結構層接觸側的相對一側，所述鍵合層由金屬制成；

鍵合襯底，所述鍵合襯底設置在鍵合層與所述P型歐姆接觸層接觸側的相對一側。

2.根據權利要求1所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，所述空心孔洞在微孔區域均勻分布。

3.根據權利要求1所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，所述微孔層的厚度250±2.5nm。

4.根據權利要求1所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，在所述N型半導體材料的上表面形成有粗化結構，所述粗化結構包括一次粗化結構和二次粗化結構，其中一次粗化結構的粗化粒度大于二次粗化結構。

5.根據權利要求4所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，在所述粗化結構上形成有一次電極，在所述一次電極上形成有二次電極，所述二次電極在所述一次電極上與所一次電極固定連接。

6.根據權利要求5所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，所述一次電極的厚度大于所述二次電極的厚度。

7.根據權利要求6所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，所述二次電極的厚度在500A以下。

8.根據權利要求1所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，在所述N型半導體材料上，電極之外的區域具有增透層。

9.根據權利要求1所述的一種紫外發光二極管，其特征在于，結構為骨架式的圓角多邊形，其圓角多邊形的直徑小于0.15mil。

10.一種紫外發光二極管芯片的制備方法，其特在于，包括如下步驟：

步驟一、制備紫外發光二極管外延結構

在襯底上依次外形成紫外發光半導體的外延結構；

步驟二、制備薄型化的微孔結構

沉積一層SiO2，厚度250nm；并通過光刻技術在使用SiO2制成薄型化微孔的掩膜陣列，其所對應N電極部位無微孔；

步驟三、蒸鍍NiAu層；

步驟四、蒸鍍鍵合層Au；

步驟五、制作鍵合襯底；

步驟六、一次電極制作；

先用一次粗化液，包括雙氧水、檸檬酸、水，進行泡制，制作N型歐姆接觸層；制作歐姆接觸電極Al/Cr；形成N面歐姆接觸；

步驟七、二次電極制作

用KOH溶液進行除一次電極區域之外的其它區域的N面AlGaN粗化，并在所述一次電極上形成二次電極。