[發明專利]一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置

在審

• 申請號: 201910858620.1
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110408912A
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 靳偉;崔國東;戴秀海
• 申請（專利權）人: 光馳科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 上海申蒙商標專利代理有限公司 31214
• 代理人: 周宇凡

1.一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述裝置包括真空鍍膜室、射頻等離子體面源以及多層式基片支架，所述真空鍍膜室和所述射頻等離子體面源相連通，所述多層式基片支架設置在所述真空鍍膜室內并可在所述真空鍍膜室的內部旋轉，所述多層式基片支架具有至少兩個沿高度方向疊置的基片裝載位，且所述基片裝載位垂直于所述射頻等離子體面源布置。

2.根據權利要求1所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述真空鍍膜室包括真空外腔室和真空反應腔室，所述真空反應腔室位于所述真空外腔室的內部且與所述射頻等離子體面源相連通；所述多層式基片支架位于所述真空反應腔室之中。

3.根據權利要求2所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述真空反應腔室和所述真空外腔室之間可相對升降，使位于所述多層式基片支架產生相對升降。

4.根據權利要求2所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述射頻等離子體面源包括矩形射頻等離子體真空腔室和矩形射頻等離子體線圈，所述矩形射頻等離子體線圈布置在所述矩形射頻等離子體真空腔室的側壁；所述矩形射頻等離子體真空腔室與所述真空外腔室之間通過真空密封圈連接。

5.根據權利要求4所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述矩形射頻等離子體真空腔室與所述真空反應腔室之間設置有等離子體柵網，所述等離子體柵網上布置有孔洞。

6.根據權利要求5所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述等離子體柵網與所述真空反應腔室之間通過金屬接觸密封連接。

7.根據權利要求1所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述真空鍍膜室內對稱布置有由若干所述多層式基片支架構成的多轉架系統，所述多轉架系統在真空鍍膜室內公轉，且每個所述多層式基片支架同時獨立自轉。

8.根據權利要求1或7所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述多層轉架可在所述真空鍍膜室內升降。

9.根據權利要求1所述的一種多片式旋轉等離子體增強原子層沉積成膜裝置，其特征在于：所述層式基片支架的同一高度的水平面內布置有至少兩個所述基片裝載位。