[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201910857746.7
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN111048486A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 李斗鉉;宋炫升;盧永昌;申憲宗;劉素羅;鄭涌植
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L29/78
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

柵電極，所述柵電極位于襯底上；

源極/漏極圖案，所述源極/漏極圖案位于所述襯底上并與所述柵電極間隔開；以及

柵極接觸插塞，所述柵極接觸插塞位于所述柵電極上，

其中，所述柵極接觸插塞包括：

第一柵極接觸段；以及

第二柵極接觸段，所述第二柵極接觸段從所述第一柵極接觸段的頂表面在豎直方向上延伸，并且

其中，所述第一柵極接觸段的上部寬度大于所述第二柵極接觸段的下部寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第二柵極接觸段具有隨著與所述柵電極的距離增大而增加的寬度，以及

所述第一柵極接觸段具有隨著與所述柵電極的距離增大而增加的寬度。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵極接觸插塞包括第一金屬插塞和位于所述第一金屬插塞的側壁上的第一阻擋圖案。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：

所述第一柵極接觸段包括第一阻擋圖案和第一金屬插塞，并且

所述第二柵極接觸段包括所述第一金屬插塞。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第二柵極接觸段的側壁上不包括阻擋圖案。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括源極/漏極接觸插塞，所述源極/漏極接觸插塞位于所述源極/漏極圖案上，其中，所述源極/漏極接觸插塞包括：

第一源極/漏極接觸段；以及

第二源極/漏極接觸段，所述第二源極/漏極接觸段從所述第一源極/漏極接觸段的頂表面在所述豎直方向上延伸，并且

其中，所述第一源極/漏極接觸段的上部寬度大于所述第二源極/漏極接觸段的下部寬度。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一柵極接觸段的所述頂表面至少部分地由所述第二柵極接觸段暴露。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，所述半導體器件還包括阻擋介電層，所述阻擋介電層位于所述第二柵極接觸段的側壁和所述第一柵極接觸段的所述頂表面上。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述阻擋介電層包括氮化硅層。

10.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

柵電極，所述柵電極位于襯底上；

源極/漏極圖案，所述源極/漏極圖案位于所述襯底上并與所述柵電極間隔開；以及

柵極接觸插塞，所述柵極接觸插塞位于所述柵電極上，

其中，所述柵極接觸插塞包括：

第一金屬插塞，所述第一金屬插塞位于所述柵電極上；以及

第一阻擋圖案，所述第一阻擋圖案覆蓋所述第一金屬插塞的側壁，其中：

所述第一金屬插塞包括由所述第一阻擋圖案暴露的第一上部和由所述第一阻擋圖案覆蓋的第一下部。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，所述半導體器件還包括源極/漏極接觸插塞，所述源極/漏極接觸插塞位于所述源極/漏極圖案上，

其中，所述源極/漏極接觸插塞包括：第二金屬插塞，所述第二金屬插塞位于所述源極/漏極圖案上；以及第二阻擋圖案，所述第二阻擋圖案覆蓋所述第二金屬插塞的第二下部，

其中，所述第二金屬插塞的第二上部由所述第二阻擋圖案暴露。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中：

所述第一金屬插塞的頂表面所在的水平高度與所述第二金屬插塞的頂表面的水平高度相同。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第一上部的厚度等于所述第二上部的厚度。