[發(fā)明專利]一種CsPbBr3

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910857070.1
• 申請(qǐng)日: 2019-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN110690302B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹小兵;賈怡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 五邑大學(xué);中國(guó)空間技術(shù)研究院
• 主分類號(hào): H01L31/032
• 分類號(hào): H01L31/032;H01L31/068;H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 劉方

1.一種CsPbBr₃薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備或提供PbBr₂薄膜；

在所述PbBr₂薄膜上涂覆CsBr水溶液；

對(duì)涂覆有所述CsBr水溶液的所述PbBr₂薄膜進(jìn)行處理以去除水且使得CsBr與PbBr₂反應(yīng)生成CsPbBr₃，所述處理的方式包括熱處理和/或光照處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制備方法，其特征在于，所述CsBr水溶液中的CsBr的濃度為150mg/mL～450mg/mL。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制備方法，其特征在于，所述涂覆的方式包括浸漬、噴涂、旋涂、刮涂中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制備方法，其特征在于，所述CsBr水溶液的溫度為20℃～75℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制備方法，其特征在于，所述熱處理的溫度參數(shù)為120℃～300℃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CsPbBr₃薄膜的制備方法，其特征在于，所述光照處理的功率密度為200mW/cm²～1000mW/cm²。

7.一種CsPbBr₃薄膜，其特征在于，所述CsPbBr₃薄膜由根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的CsPbBr₃薄膜的制備方法制備。

8.一種器件，其特征在于，所述器件包括權(quán)利要求7所述的CsPbBr₃薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，所述器件包括太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管、光電探測(cè)器、阻變存儲(chǔ)器和隨機(jī)激光發(fā)射器中的任一種。