[發明專利]基板支承組件、等離子體處理裝置、以及等離子體處理方法

在審

• 申請號: 201910856969.1
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN111029237A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 池上真史;佐佐木康晴
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種基板支承組件、等離子體處理裝置、以及等離子體處理方法。在該基板支承組件中，能夠以抑制支承臺與聚焦環之間的阻抗的變化的方式調整聚焦環的鉛垂方向的位置。例示的實施方式的基板支承組件具備支承臺和一個以上的壓電元件。支承臺具有下部電極和靜電卡盤。支承臺具有上表面。該上表面包括供基板載置于其上的第1區域和供聚焦環配置于其上方的第2區域。一個以上的壓電元件設置于聚焦環與第2區域之間。一個以上的壓電元件各自的厚度能夠以抑制聚焦環與第2區域之間產生空間的方式變化。

技術領域

本公開的例示的實施方式涉及一種基板支承組件、等離子體處理裝置、以及等離子體處理方法。

背景技術

為了進行基板處理，使用了等離子體處理裝置。等離子體處理裝置具備腔室和支承臺。支承臺設置于腔室內。支承臺支承載置到其上的基板。在基板的周圍以包圍該基板的方式配置有聚焦環。在等離子體處理裝置中，向腔室內供給氣體，向支承臺供給高頻電力。其結果，自氣體生成等離子體。

隨著基板處理的時間流逝，聚焦環的厚度減少。若聚焦環的厚度減少，則聚焦環的上方處的護套的下端位置變得比基板的上方處的護套的下端位置低。護套在基板的邊緣與聚焦環之間的邊界的上方傾斜。其結果，向基板的邊緣供給的離子的行進方向相對于鉛垂方向傾斜。因而，需要將向基板的邊緣供給的離子的行進方向校正成鉛垂方向的技術。

將向基板的邊緣供給的離子的行進方向校正成鉛垂方向的技術記載于專利文獻1。在專利文獻1所記載的技術中，在聚焦環的厚度減少了的情況下，聚焦環被向上方移動。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-146472號公報

發明內容

發明要解決的問題

尋求能夠以抑制支承臺與聚焦環之間的阻抗的變化的方式調整聚焦環的鉛垂方向的位置。

用于解決問題的方案

在一個例示的實施方式中，提供一種基板支承組件。基板支承組件具備支承臺和一個以上的壓電元件。支承臺具有下部電極和靜電卡盤。靜電卡盤設置于下部電極上。一個以上的壓電元件設置于支承臺與聚焦環之間。支承臺具有上表面。支承臺的上表面包括第1區域和第2區域。第1區域是供基板載置于其上的區域。第2區域在第1區域的外側沿著周向延伸。第2區域是供聚焦環配置于其上方的區域。一個以上的壓電元件以與聚焦環和第2區域直接地或間接地接觸的方式設置于聚焦環與第2區域之間。一個以上的壓電元件各自的厚度的變化使聚焦環的鉛垂方向的位置變化。一個以上的壓電元件各自的厚度能夠以抑制聚焦環與第2區域之間產生空間的方式變化。

發明的效果

根據一個例示的實施方式，能夠使以抑制支承臺與聚焦環之間的阻抗的變化的方式調整聚焦環的鉛垂方向的位置成為可能。

附圖說明

圖1是概略地表示一個例示的實施方式的等離子體處理裝置的圖。

圖2是一個例示的實施方式的基板支承組件的局部放大剖視圖。

圖3是一個例示的實施方式的基板支承組件的壓電元件的俯視圖。

圖4是概略地表示一個例示的實施方式的基板支承組件的壓電元件的縱截面中的構造的圖。

圖5是表示另一個例示的實施方式的基板支承組件的多個壓電元件的俯視圖。

圖6是表示又一個例示的實施方式的基板支承組件的多個壓電元件的俯視圖。