[發明專利]電子設備及其鋼化加強膜和制備方法及應用

在審

• 申請號: 201910856359.1
• 申請日: 2019-09-11
• 公開（公告）號: CN110760814A
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發明（設計）人: 宗堅
• 申請（專利權）人: 江蘇菲沃泰納米科技有限公司
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/517;H04M1/02;H04M1/18
• 代理公司: 33244 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙)
• 代理人: 羅京;王麗芳

1.一鋼化加強膜，其特征在于，其以碳氫氣體C_xH_y作為沉積反應氣體原料，通過PECVD工藝在一基體的表面沉積形成。

2.根據權利要求1所述的鋼化加強膜，其中x為1-10的整數，y為1-20的整數。

3.根據權利要求1所述的鋼化加強膜，其中所述碳氫氣體C_xH_y選自常壓下為氣態的甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、乙烯、乙炔、丙烯、丙炔中的其中一種或多種。

4.根據權利要求1所述的鋼化加強膜，其中所述碳氫氣體C_xH_y選自經過減壓或者加熱蒸發形成的苯蒸氣、甲苯蒸氣中的其中一種或多種。

5.根據權利要求1-4任一所述的鋼化加強膜，其中在進行PECVD工藝時，加入一等離子體源氣體，以激活所述反應氣體原料的沉積反應。

6.根據權利要求5所述的鋼化加強膜，其中所述等離子體源氣體選自惰性氣體、氮氣、氟碳氣體中的其中一種或多種。

7.根據權利要求1-4任一所述的鋼化加強膜，其中在進行PECVD工藝時，加入一輔助氣體，與所述反應氣體原料共同沉積反應，其中所述輔助氣體是氫氣，以調節所述鋼化加強膜中的C-H鍵含量。

8.根據權利要求7所述的鋼化加強膜，其中所述氫氣的含量≤40％。

9.根據權利要求1-4任一所述的鋼化加強膜，其中在進行PECVD工藝時，射頻和高壓脈沖共同作用沉積形成所述鋼化加強膜。

10.根據權利要求9所述的鋼化加強膜，其中所述射頻功率范圍為10～800W，高壓脈沖電源電壓-100V～-5000V，脈沖占空比10％～80％。

11.根據權利要求1-4任一所述的鋼化加強膜，其中所述基體是一電子設備屏。

12.根據權利要求11所述的鋼化加強膜，其中所述電子設備選自于智能手機、平板電腦、電子閱讀器、可穿戴設備、電視機、電腦顯示屏中的一種。

13.一鋼化加強膜制備方法，其特征在于，以碳氫氣體C_xH_y作為沉積反應氣體原料，通過一PECVD裝置在一基體表面進行等離子體增強化學氣相沉形成。

14.根據權利要求13所述的鋼化加強膜制備方法，其中在進行PECVD工藝時，加入一等離子體源氣體，以激活所述反應氣體原料的沉積反應。

15.根據權利要求14所述的鋼化加強膜制備方法，其中所述等離子體源氣體選自惰性氣體、氮氣、氟碳氣體中的其中一種或多種。

16.根據權利要求14所述的鋼化加強膜制備方法，其中包括步驟：打開所述PECVD裝置的一高壓脈沖電源，所述等離體子源氣體在高壓脈沖電場的作用下清潔所述基體表面，并且蝕刻和活化。

17.根據權利要求16所述的鋼化加強膜制備方法，其中高壓脈沖電源電壓-100V～-5000V、占空比1％～90％。

18.根據權利要求13所述的鋼化加強膜制備方法，其中在進行PECVD工藝時，加入一輔助氣體，與所述反應氣體原料共同沉積反應，其中所述輔助氣體是氫氣，以調節所述鋼化加強膜中的C-H鍵含量。

19.根據權利要求18所述的鋼化加強膜制備方法，其中所述氫氣的含量≤40％。