[發明專利]顯示裝置在審
| 申請號: | 201910853657.5 | 申請日: | 2019-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110943092A | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發明(設計)人: | 全明河;李奇昶 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
根據本公開的顯示裝置包括:可撓性基板,第一區域、第二區域及彎折區域;第一絕緣層,在可撓性基板的上面上,配置于彎折區域;第一源極/漏極圖案,包括在可撓性基板的上面上配置于第一區域的源電極及漏電極;以及,配置于彎折區域的第一絕緣層上的信號布線;第二絕緣層,配置于第一源極/漏極圖案上;第二源極/漏極圖案,配置于第二絕緣層上,第二源極/漏極圖案包括配置于第一區域的接觸焊盤及對應彎折區域整體而配置的保護圖案;第一圖案薄膜,在可撓性基板的下面上,配置于第一區域;第二圖案薄膜,在可撓性基板的下面上,配置于第二區域,并與第一圖案薄膜間隔開;及,樹脂層,在彎折區域,配置于第二源極/漏極圖案上。
技術領域
本公開涉及一種顯示裝置,更詳細地是涉及減少了作為非顯示區域的邊框部的顯示裝置。
背景技術
近來,借助于技術的發展,出現了小型、輕量且性更加優越的顯示器產品。到目前為止的顯示裝置中,已有的顯像管電視(cathode ray tube:CRT)在性能或價格方面具有多的優點并被廣泛使用,但是在小型化或便攜性方面克服了CRT的缺點,具有小型化、輕量化及低電耗等優點的顯示裝置,例如,等離子顯示裝置、液晶顯示裝置及有機發光顯示裝置等備受關注。
特別是提示了各種用于減少作為包圍上述顯示裝置的顯示區域的非顯示區域的邊框部的多種結構,也提出了彎曲上述顯示裝置的一部分而進行配置的結構,但存在因彎曲引起的內部結構物的破損問題。
發明內容
于是,本公開的技術問題著眼于這樣的點,本公開的目的在于提供一種顯示裝置,減少了作為彎曲的部分的彎折區域的破損危險,并減少了作為非顯示區域的邊框部。
根據用于實現上述本公開目的的一實施例的顯示裝置包括:可撓性基板,包括顯示圖像的第一區域、與所述第一區域間隔開的第二區域及所述第一區域與所述第二區域之間的彎折區域;第一絕緣層,在所述可撓性基板上面上,配置于所述彎折區域;第一源極/漏極圖案,包括在所述可撓性基板上面上配置于所述第一區域的源電極及漏電極;以及,配置于所述彎折區域的所述第一絕緣層上的信號布線;第二絕緣層,配置于所述第一源極/漏極圖案上;第二源極/漏極圖案,配置于所述第二絕緣層上,所述第二源極/漏極圖案包括配置于所述第一區域的接觸焊盤及對應所述彎折區域整體而配置的保護圖案;第一圖案薄膜,在所述可撓性基板的下面上,配置于所述第一區域;第二圖案薄膜,在所述可撓性基板的下面上,配置于所述第二區域,并與所述第一圖案薄膜間隔開;及,樹脂層,在所述彎折區域,配置于所述第二源極/漏極圖案上。
在本公開一實施例中,所述彎折區域的中立面(neutral plane)形成在所述保護圖案內,或以所述保護圖案為基準,向所述信號布線的相反側形成在所述保護圖案上,在所述彎折區域,隨著所述可撓性基板的彎曲,壓縮應力可以作用于所述信號布線。
在本公開一實施例中,所述顯示裝置還可以包括配置于所述保護圖案與所述樹脂層之間的第三絕緣層。
在本公開一實施例中,所述第一絕緣層、所述第二絕緣層及所述第三絕緣層可以包括有機絕緣物質。
在本公開一實施例中,所述樹脂層可以包括丙烯酸系樹脂。
在本公開一實施例中,所述顯示裝置還可以包括:像素定義膜,配置于所述第三絕緣層上,在所述第一區域內定義開口;及,發光結構物,配置于所述開口內。在所述彎折區域,在所述第三絕緣層與所述樹脂層之間還可以配置有所述像素定義膜。
在本公開一實施例中,所述可撓性基板可以包括:包括聚酰亞胺的第一層及第二層;及,配置于所述第一層與所述第二層之間的阻擋層。
在本公開一實施例中,所述中立面(neutral plane)可以形成在所述保護圖案內。
在本公開一實施例中,所述信號布線沿著所述彎折區域的寬度方向延伸,可以連接所述第一區域及所述第二區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





