[發(fā)明專利]硅錠及其制備方法、硅片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910851960.1
• 申請日: 2019-09-10
• 公開（公告）號: CN112563368B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭旭然;張春華;潘勵剛;衡陽
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;阿特斯陽光電力集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B28D5/04
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

1.一種硅錠的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

開槽，于所述硅錠的側(cè)表面上制備預(yù)制槽，所述預(yù)制槽位于所述硅錠上的主印預(yù)設(shè)區(qū)的至少一端；且所述預(yù)制槽包括沿所述硅錠的長度方向間隔排列的若干凹槽；靠近所述主印預(yù)設(shè)區(qū)的凹槽壁包括與預(yù)形成的若干硅片一一對應(yīng)的傾斜壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅錠的制備方法，其特征在于，所述開槽具體包括，通過激光切割、等離子體刻蝕工藝，形成所述凹槽。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅錠的制備方法，其特征在于，沿所述硅錠的徑向方向切割后形成的所述凹槽的截面形狀為方形、矩形、梯形、半圓形中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅錠的制備方法，其特征在于，所述預(yù)制槽位于所述硅錠上的主印預(yù)設(shè)區(qū)的兩端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任意一項所述的硅錠的制備方法，其特征在于，還包括如下步驟：

形成晶硅錠；

開方；

硅錠檢測；

切割，切除硅錠中不合格的部分；

磨面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅錠的制備方法，其特征在于，所述開槽位于切割步驟后。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅錠的制備方法，其特征在于，所述開槽位于磨面后。

8.一種硅片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

制備硅錠，采用權(quán)利要求1~7任意一項所述的硅錠的制備方法制備硅錠，且沿硅錠的長度方向上相鄰所述凹槽之間的距離小于預(yù)形成的硅片的厚度；

切片，于所述凹槽的中間位置處沿所述硅錠的徑向進(jìn)行切片。

9.一種硅片的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

制備硅錠，采用權(quán)利要求1~7任意一項所述的硅錠的制備方法制備硅錠，且所述凹槽沿硅錠的長度方向的長度小于預(yù)形成的硅片的厚度的兩倍；

切片，于所述凹槽與所述硅錠長度方向垂直的邊緣處沿所述硅錠的徑向進(jìn)行切片。

10.一種硅錠，包括用以形成硅片的主柵印刷區(qū)的主印預(yù)設(shè)區(qū)，其特征在于，所述硅錠還包括位于所述硅錠的側(cè)表面上的預(yù)制槽，所述預(yù)制槽位于所述主印預(yù)設(shè)區(qū)的至少一端，所述預(yù)制槽包括沿所述硅錠的長度方向間隔排列的若干凹槽，沿長度方向上相鄰所述凹槽之間的距離小于預(yù)形成的硅片的厚度；靠近所述主印預(yù)設(shè)區(qū)的凹槽壁包括與預(yù)形成的若干硅片一一對應(yīng)的傾斜壁。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硅錠，其特征在于：所述預(yù)制槽位于所述主印預(yù)設(shè)區(qū)的兩端。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硅錠，其特征在于：沿所述硅錠的徑向方向切割后形成的所述凹槽的截面形狀為方形、矩形、梯形、半圓形中的至少一種。

13.根據(jù)權(quán)利要求10~12任意一項所述的硅錠，其特征在于：所述凹槽的深度介于0.1cm~2cm之間。

14.一種硅片，包括位于所述硅片的表面的若干主柵印刷區(qū)，其特征在于：所述硅片還包括位于所述主柵印刷區(qū)至少一端的半通槽，所述半通槽向外延伸至所述硅片的邊緣，所述半通槽的深度小于所述硅片的厚度；自內(nèi)向外，所述半通槽沿所述硅片厚度方向逐漸加深。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的硅片，其特征在于：所述半通槽位于所述主柵印刷區(qū)的兩端。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的硅片，其特征在于：沿所述硅片的厚度方向切割后形成的所述半通槽的截面形狀為方形、矩形、梯形、半圓形中的至少一種。