[發明專利]集成電路

在審

• 申請號: 201910851884.4
• 申請日: 2015-12-30
• 公開（公告）號: CN110556336A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: J·H·張
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/762;H01L29/78
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 王茂華;董典紅

1.一種集成電路，包括：

襯底；以及

在所述襯底上方的導電互連結構，所述導電互連結構包括第一互連結構和第二互連結構；以及

其中：

所述第一互連結構與所述第二互連結構相鄰；

所述第一互連結構包括在第一層級處的第一子結構和在第二層級處的第二子結構，相對于所述第一層級而言，所述第二層級位于離所述襯底更大的距離處；

所述第一互連結構的所述第二子結構電耦合到所述第一互連結構的所述第一子結構；

所述第二互連結構包括在所述第一層級處的第一子結構和在所述第二層級處的第二子結構；

所述第二互連結構的所述第二子結構電耦合到所述第二互連結構的所述第一子結構；

所述第一互連結構的所述第一子結構具有比所述第二互連結構的所述第一子結構的長度更大的長度；以及

所述第二互連結構的所述第二子結構具有比所述第一互連結構的所述第二子結構的長度更大的長度。

2.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一互連結構的所述第二子結構與所述第一互連結構的所述第一子結構電連接。

3.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一互連結構的所述第二子結構與所述第一互連結構的所述第一子結構物理接觸。

4.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第二互連結構的所述第二子結構與所述第二互連結構的所述第一子結構電連接。

5.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第二互連結構的所述第二子結構與所述第二互連結構的所述第一子結構物理接觸。

6.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一互連結構的所述第二子結構與所述第一互連結構的所述第一子結構物理接觸，并且其中所述第二互連結構的所述第二子結構與所述第二互連結構的所述第一子結構物理接觸。

7.根據權利要求1所述的電路，其中，在所述第一互連結構的所述第一子結構與所述第二互連結構的所述第二子結構之間的第一距離小于在所述第一互連結構的所述第一子結構與所述第二互連結構的所述第一子結構之間的第二距離。

8.根據權利要求7所述的電路，其中，在所述第二互連結構的所述第一子結構與所述第一互連結構的所述第二子結構之間的第三距離大于所述第二距離。

9.根據權利要求7所述的電路，其中，在所述第二互連結構的所述第一子結構與所述第一互連結構的所述第二子結構之間的第三距離大于所述第一距離。

10.根據權利要求9所述的電路，其中，所述第三距離大于所述第二距離。

11.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一互連結構和所述第二互連結構在所述第一層級和所述第二層級處都彼此電絕緣。

12.根據權利要求1所述的電路，其中，所述襯底包括晶體管的源極區域和所述晶體管的漏極區域，以及其中所述第一互連結構電連接至所述源極區域并且其中所述第二互連結構電連接至所述漏極區域。