[發(fā)明專利]多加熱通路霧化器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910851823.8 | 申請日: | 2019-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110432557A | 公開(公告)日: | 2019-11-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 高鞠 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶品新材料股份有限公司 |
| 主分類號: | A24F47/00 | 分類號: | A24F47/00 |
| 代理公司: | 蘇州國誠專利代理有限公司 32293 | 代理人: | 楊淑霞 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱線路 電路承載 負電極 正電極 閉合 加熱通路 連通區(qū)域 霧化器 加熱區(qū)域 溫度分布 霧化效果 電極 不相交 電連接 上開槽 霧化量 相交 | ||
1.一種多加熱通路霧化器,其特征在于,所述多加熱通路霧化器包括:正電極、負電極、加熱線路和電路承載體;
所述正電極、負電極、加熱線路設置于所述電路承載體上;
所述加熱線路電連接于所述正電極和負電極之間,所述加熱線路的條數(shù)為M,M≥2,各條加熱線路之間具有L個交點,L≥0;
所述正、負電極和加熱線路構成閉合連通區(qū)域,每一閉合連通區(qū)域構成加熱區(qū)域,所述加熱區(qū)域內無電路,所述加熱區(qū)域的個數(shù)為N,N=M+L-1;
所述電路承載體為絕緣體,內部密布孔隙通道,使液體通過孔隙通道滲透進入所述加熱區(qū)域;
所述電路承載體上至少設置有一個低液體流動阻力通道區(qū),所述低液體流動阻力通道區(qū)與所述加熱區(qū)域相對應,使得液體進入該加熱區(qū)域的阻力小于進入其他區(qū)域的阻力。
2.根據(jù)權利要求1所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述L≥1。
3.根據(jù)權利要求1所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述電路承載體的材料選自陶瓷,晶體,玻璃,或者它們的混合物。
4.根據(jù)權利要求3所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述低液體流動阻力通道區(qū)為開設于所述電路承載體上的導油槽和/或導油孔,所述導油槽和/或導油孔中可以填充有孔隙率更高的材料,所述導油槽和/或導油孔的延伸方向與所述加熱線路所在的面保持垂直。
5.根據(jù)權利要求4所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述導油槽的深度為所述電路承載體厚度的10%-90%。
6.根據(jù)權利要求1所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述加熱線路的材料選自于銀、鎳、鉻、鉑、鈀、釕、鐵、金中的一種,或者它們形成的合金。
7.根據(jù)權利要求6所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,任一條所述加熱線路的方阻為50-500Ω/sq。
8.根據(jù)權利要求1-7任一項所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述加熱線路使用正電阻溫度系數(shù)材料。
9.根據(jù)權利要求8所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述正溫度電阻系數(shù)為100-3000ppm/℃。
10.根據(jù)權利要求1所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述加熱線路為兩條時,兩條加熱線路之間保持不相交。
11.根據(jù)權利要求1所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述加熱線路為兩條時,兩條加熱線路相交且呈“8”字形的方式設置。
12.根據(jù)權利要求1所述的多加熱通路霧化器,其特征在于,所述加熱線路為三條以上時,各加熱線路形成網(wǎng)絡結構。
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