[發明專利]CMOS圖像傳感器的像素結構

在審

• 申請號: 201910851201.5
• 申請日: 2019-09-10
• 公開（公告）號: CN112563293A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 李杰
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/374
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，

所述圖像傳感器包括多個陣列排布的像素單元，至少兩個相鄰像素單元構成子像素單元矩陣，每個子像素單元矩陣共用一組讀出電路，在所述子像素單元矩陣的橫向一側和縱向一側均設置有讀出電路的晶體管，所述晶體管包括源跟隨晶體管、復位晶體管。

2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述源跟隨晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側，所述復位晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，或者所述源跟隨晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，所述復位晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側。

3.如權利要求1或2所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述至少兩個相鄰像素單元及其讀出電路構成組合像素單元，所述組合像素單元的最長邊小于等于4微米。

4.如權利要求1或2所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述讀出電路的晶體管還包括行選擇晶體管。

5.如權利要求4所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述源跟隨晶體管和行選擇晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側，所述復位晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，或者所述源跟隨晶體管和行選擇晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，所述復位晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側。

6.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述讀出電路的晶體管還包括雙增益轉換晶體管。

7.如權利要求6所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述源跟隨晶體管和復位晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側，所述雙增益轉換晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，或者所述源跟隨晶體管和復位晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，所述雙增益轉換晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側。

8.如權利要求6所述的CMOS圖像傳感器的像素結構，其特征在于，所述源跟隨晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側，所述復位晶體管和雙增益轉換晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，或者所述源跟隨晶體管位于所述子像素單元矩陣的縱向一側，所述復位晶體管和雙增益轉換晶體管位于所述子像素單元矩陣的橫向一側。