[發明專利]存儲裝置和存儲裝置的操作方法

在審

• 申請號: 201910850464.4
• 申請日: 2019-09-10
• 公開（公告）號: CN111273855A
• 公開（公告）日: 2020-06-12
• 發明（設計）人: 李相杰;金賢云;張恩禑
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;張川緒

公開了存儲裝置和存儲裝置的操作方法。一種存儲裝置包括：非易失性存儲器裝置，包括存儲空間；以及控制器，被配置為：將非易失性存儲器裝置的存儲空間劃分和管理為用戶區和元區，并將對用戶區的訪問提供給主機裝置。控制器還被配置為：響應于從主機裝置接收到廉價磁盤冗余陣列(RAID)備用信息，基于RAID備用信息從用戶區選擇RAID備用區，并使用RAID備用區的至少一部分作為預留空間區。

本申請要求于2018年12月4日提交到韓國知識產權局的第10-2018-0154413號韓國專利申請的優先權，所述韓國專利申請的公開的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

在此描述的發明構思的實施例涉及半導體裝置，更具體地講，涉及將主機裝置指定的備用區用作預留空間區(over provision area)的存儲裝置以及該存儲裝置的操作方法。

背景技術

存儲裝置可包括非易失性存儲器裝置和控制非易失性存儲器裝置的控制器。非易失性存儲器裝置可包括閃存裝置、相變存儲器裝置、鐵電存儲器裝置、磁存儲器裝置、電阻式存儲器裝置等。

在非易失性存儲器裝置之中，閃存裝置具有寫前擦除特性。為了在閃存裝置的特定區中寫入數據，可首先對該特定區執行擦除操作。也就是說，閃存裝置可不支持重寫操作。

當不支持重寫操作時，會發生閃存裝置的訪問速度的降低。為提高閃存裝置的訪問速度，存儲裝置可使用閃存裝置的部分存儲區域。也就是說，閃存裝置的部分存儲區域可用于提高性能并且可不提供給主機裝置。

隨著存儲裝置的容量增加，存儲裝置的可被使用以提高性能的區域(例如，作為部分存儲區域)的容量也會增加。這可表示存儲裝置中的不可用的容量也增加。

發明內容

本發明構思的實施例提供了一種增加可使用的存儲空間的量的存儲裝置以及存儲裝置的操作方法。

根據本發明構思的實施例，一種存儲裝置，包括：非易失性存儲器裝置，包括存儲空間；以及控制器，被配置為：將非易失性存儲器裝置的存儲空間劃分和管理為用戶區和元區并將對用戶區的訪問提供給主機裝置。控制器還被配置為：響應于從主機裝置接收到廉價磁盤冗余陣列(RAID)備用信息，基于RAID備用信息從用戶區選擇RAID備用區，并使用RAID備用區的至少一部分作為預留空間區。

根據本發明構思的實施例，一種存儲裝置，包括：非易失性存儲器裝置，包括存儲空間；以及控制器，被配置為：將非易失性存儲器裝置的存儲空間劃分和管理為用戶區、第一預留空間區和元區，并將對用戶區的訪問提供給主機裝置。控制器還被配置為：響應于從主機裝置接收到RAID備用信息，基于RAID備用信息從用戶區選擇RAID備用區，并使用RAID備用區的至少一部分作為第二預留空間區。

根據本發明構思的實施例，一種操作存儲裝置的方法，所述存儲裝置包括非易失性存儲器裝置和控制器，所述方法包括：由控制器將存儲裝置的用戶區的容量信息提供給主機裝置；由控制器從主機裝置接收到RAID備用信息；由控制器基于RAID備用信息將用戶區劃分為主要使用區和RAID備用區；以及由控制器通過將RAID備用區的至少一部分用作預留空間區來支持針對主要使用區的讀取操作和寫入操作。

附圖說明

通過參照附圖對本發明構思的示例實施例進行詳細描述，本發明構思的以上和其他目的以及特征將變得清楚。

圖1示出根據本發明構思的實施例的存儲裝置。

圖2示出根據本發明構思的另一實施例的存儲裝置。

圖3示出根據本發明構思的實施例的存儲裝置的操作方法。

圖4示出在圖2的存儲裝置中根據圖3的方法指定RAID備用區的示例。

圖5示出包括存儲裝置陣列的計算裝置。