[發明專利]放大器在審
| 申請號: | 201910849877.0 | 申請日: | 2019-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110890867A | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | M·J·古德里 | 申請(專利權)人: | 美國亞德諾半導體公司 |
| 主分類號: | H03F1/34 | 分類號: | H03F1/34;H03F3/45 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 張丹 |
| 地址: | 美國馬*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 放大器 | ||
1.一種儀表放大器,包括第一級,被配置為基于差分輸入生成放大的差分輸出,所述第一級包括:
第一放大器,包括:
第一晶體管,其中所述第一晶體管的柵極耦合到所述差分輸入的第一輸入,和
第一電流放大器,將所述第一晶體管的漏極耦合到所述差分輸出的第一輸出;
第二放大器,包括:
第二晶體管,其中所述第二晶體管的柵極耦合到所述差分輸入的第二輸入,和
第二電流放大器,將所述第二晶體管的漏極耦合到所述差分輸出的第二輸出;和
電阻網絡,包括:
第一反饋電阻器,將第一輸出耦合到所述第一晶體管的源極;和
第二反饋電阻器,將第二輸出耦合到所述第二晶體管的源極。
2.權利要求1所述的儀表放大器,其中所述電阻網絡還包括:
連接電阻器,將所述第一晶體管的源極耦合到所述第二晶體管的源極。
3.權利要求1所述的儀表放大器,其中:
所述第一放大器還包括第一電壓移位裝置,被配置為將所述第一晶體管的體電壓升高到所述第一晶體管的源極電壓以上;和
所述第二放大器還包括第二電壓移位裝置,被配置為將所述第二晶體管的體電壓升高到所述第二晶體管的源極電壓以上。
4.權利要求3所述的儀表放大器,其中:
所述第一電壓移位裝置包括第一二極管,并且所述第二電壓移位裝置包括第二二極管。
5.權利要求1所述的儀表放大器,其中:
所述第一放大器還包括耦合在所述第一晶體管的漏極和所述第一電流放大器的輸入之間的第一共源共柵器件,并且其中
所述第二放大器還包括耦合在所述第二晶體管的漏極和所述第二電流放大器的輸入之間的第二共源共柵器件。
6.權利要求5所述的儀表放大器,其中所述第一共源共柵器件包括柵極耦合到所述第一輸入的晶體管,并且其中所述第二共源共柵器件包括柵極耦合到所述第二輸入的其他晶體管。
7.權利要求1所述的儀表放大器,其中所述第一晶體管是P型晶體管,并且所述第二晶體管是P型晶體管。
8.權利要求7所述的儀表放大器,其中允許輸入電壓的范圍的下端低于所述儀表放大器第一級的最低電壓。
9.權利要求1所述的儀表放大器,其中所述第一晶體管是N型晶體管,并且所述第二晶體管是N型晶體管。
10.權利要求9所述的儀表放大器,其中允許輸入電壓的范圍的上端高于所述儀表放大器第一級的最高電壓。
11.儀表放大器,包括:
差分輸入;
差分輸出;
第一放大器,包括:
第一晶體管,其中所述第一晶體管的柵極端子耦合到所述差分輸入的第一輸入,和
第一反饋電流放大器,將所述第一晶體管的漏極端子耦合到所述第一晶體管的源極端子和所述差分輸出的第一輸出;和
第二放大器,包括:
第二晶體管,其中所述第二晶體管的柵極端子耦合到所述差分輸入的第二輸入,和
第二電流反饋放大器,將所述第二晶體管的漏極端子耦合到所述第二晶體管的源極端子和所述差分輸出的第二輸出。
12.權利要求11所述的儀表放大器,還包括:
電阻網絡,包括:
第一反饋電阻器,將所述第一電流反饋放大器的輸出耦合到所述第一晶體管的源極端子;和
第二反饋電阻器,耦合所述第二電流反饋放大器的輸出以輸出到所述第二晶體管的源極端子。
13.權利要求12所述的儀表放大器,其中所述電阻網絡還包括:
連接電阻器,將所述第一晶體管的源極端子耦合到所述第二晶體管的源極端子。
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