[發明專利]紅外帶通濾波結構及應用該結構的紅外帶通濾波器

在審

• 申請號: 201910848758.3
• 申請日: 2019-09-09
• 公開（公告）號: CN112462461A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 鄒政興;鄭暐皞;倪培元
• 申請（專利權）人: 晶瑞光電股份有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20;G02B1/115
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營

1.一種紅外帶通濾波結構，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構是由復數氫化硅鋁(SiAl:H)層及折射率低于所述復數氫化硅鋁層的復數較低折射率層交互堆棧形成，所述復數較低折射率層為一氧化物，所述紅外帶通濾波結構具有800nm至1600nm的波長范圍內至少部分重迭的一通帶(passband)，所述通帶具有一中心波長，且所述中心波長在入射角自0°改變至30°時，在量值(magnitude)上偏移(shifts)幅度小于11nm。

2.如權利要求1所述的紅外帶通濾波結構，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構的厚度為3000～5500nm。

3.如權利要求1所述的紅外帶通濾波結構，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構在350nm～1600nm的波長范圍內具有高OD值，在800nm至1600nm的波長范圍內具有高穿透率。

4.如權利要求1所述的紅外帶通濾波結構，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構在可見光范圍時色坐標位在X軸坐標0.2～0.5、y軸坐標0.2～0.5處，反射率低于20％。

5.如權利要求1所述的紅外帶通濾波結構，其特征在于，復數氫化硅鋁層在800nm至1600nm波長范圍內的折射率為3.1～3.6，消光系數為1.E-4～1.E-6，在350nm至700nm波長范圍內的消光系數大于0.005。

6.如權利要求1所述的紅外帶通濾波結構，其特征在于，復數較低折射率層包括二氧化硅鋁(SiA:lO₂)、氮化硅鋁(SiAl:N)、氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO₂)、氧化鋁(Al₂O₃)、二氧化鈦(TiO₂)、五氧化二鈮(Nb₂O₅)、五氧化二鉭(Ta₂O₅)及其混合物中的至少一者。

7.如權利要求1所述的紅外帶通濾波結構，其特征在于，復數較低折射率層在800nm至1600nm的波長范圍內的折射率小于1.8，消光系數小于0.0005。

8.一種紅外帶通濾波器，其特征在于，包括：

一基板，其同時具有一第一側面及位于所述第一側面相反側的一第二側面；

一紅外帶通濾波結構，其形成于所述基板的第一側面，由復數氫化硅鋁(SiAl:H)層及復數較低折射率層交互堆棧形成，所述復數較低折射率層為一氧化物，所述紅外帶通濾波結構具有800nm至1600nm的波長范圍內至少部分重迭的一通帶(passband)，所述通帶具有一中心波長，且所述中心波長在入射角自0°改變至30°時，在量值(magnitude)上偏移(shifts)幅度小于11nm；以及

一抗反射(AR)層，其形成于所述基板的第二側面。

9.如權利要求8所述的紅外帶通濾波器，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構的厚度為3000～5500nm。

10.如權利要求8所述的紅外帶通濾波器，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構在350nm～1600nm的波長范圍內具有高OD值，在800nm至1600nm的波長范圍內具有高穿透率。

11.如權利要求8所述的紅外帶通濾波器，其特征在于，所述紅外帶通濾波結構在可見光范圍時色坐標位在x軸坐標0.2～0.5、y軸坐標0.2～0.5處，反射率低于20％。

12.如權利要求8所述的紅外帶通濾波器，其特征在于，所述復數氫化硅鋁層在800nm至1600nm波長范圍內的折射率為3.1～3.6，消光系數為1.E-4～1.E-6，在350nm至700nm波長范圍內的消光系數大于0.005。