[發明專利]一種雙面太陽能電池的制備方法有效
| 申請號: | 201910844110.9 | 申請日: | 2019-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN110518094B | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發明(設計)人: | 左嚴嚴;包健;廖暉;白明華;張昕宇;金浩 | 申請(專利權)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/068 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 太陽能電池 制備 方法 | ||
本發明公開了一種雙面太陽能電池的制備方法,會先將形成有BSG的硅襯底放入鏈式制絨機中盛有氫氟酸的清洗槽中,以去除BSG;使用鏈式制絨機將硅襯底從清洗槽轉移至制絨槽中進行制絨,以在硅襯底的第二表面形成第一絨面;制絨槽盛有包括氫氟酸的混酸制絨液。先使用氫氟酸去除BSG,再使用包括氫氟酸的混酸制絨液,使得在此兩個步驟之間不需要對硅襯底進行清洗,使用鏈式制絨機可以在同一工藝中,即使用同一鏈式制絨機即可實現BSG的去除以及第一絨面的制備,從而有效簡化雙面太陽能電池的制備工藝,方便快捷的制備雙面太陽能電池。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,特別是涉及一種雙面太陽能電池的制備方法。
背景技術
隨著太陽能行業的不斷發展,雙面太陽能電池因其雙面均可以發電的特性,越來越受到市場的青睞。對于雙面太陽能電池來說,背面的光電轉換效率也是衡量太陽能電池質量好壞的一個標準。
在現有技術中,為了增加雙面太陽能電池背面對光的吸收效率,通常會在太陽能電池正面制備完擴散層之后,增加一道對雙面太陽能電池背面進行二次制絨的工序,這可以在增加雙面太陽能電池背面轉換效率的同時,不影響雙面太陽能電池正面的轉換效率。但是增加二次制絨工序無疑會增加雙面太陽能電池制備工藝的復雜度,增加雙面太陽能電池的制作成本。所以如何簡化雙面太陽能電池的制備工藝是本領域技術人員急需解決的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種雙面太陽能電池的制備方法,可以方便快捷的制備雙面太陽能電池。
為解決上述技術問題,本發明提供一種雙面太陽能電池的制備方法,包括:
在硅襯底的第一表面進行硼擴散以在所述硅襯底的第一表面形成p型擴散層;所述硅襯底中與所述第一表面相對的第二表面形成有BSG;
將形成有所述BSG的硅襯底放入鏈式制絨機中盛有氫氟酸的清洗槽中,以去除所述BSG;
使用所述鏈式制絨機將所述硅襯底從所述清洗槽轉移至制絨槽中進行制絨,以在所述硅襯底的所述第二表面形成第一絨面;所述制絨槽盛有包括氫氟酸的混酸制絨液;
在所述第一絨面表面進行磷擴散以形成覆蓋所述第一絨面的n型擴散層;
設置與所述p型擴散層電連接的第一柵線,并設置與所述n型擴散層電連接的第二柵線,以制成所述雙面太陽能電池。
可選的,所述混酸制絨液包括氫氟酸、硝酸、硫酸和去離子水。
可選的,在所述在硅襯底的第一表面進行硼擴散以在所述硅襯底的第一表面形成p型擴散層之前,所述方法還包括:
在所述硅襯底的第一表面進行制絨,以在所述硅襯底的第一表面形成第二絨面;
所述在硅襯底的第一表面進行硼擴散以在所述硅襯底的第一表面形成p型擴散層包括:
在所述第二絨面表面進行硼擴散以在所形成覆蓋所述第二絨面的p型擴散層。
可選的,在所述第一絨面表面進行磷擴散以形成覆蓋所述第一絨面的n型擴散層之后,所述方法還包括:
分別在所述p型擴散層表面和所述n型擴散層表面設置保護層。
可選的,所述分別在所述p型擴散層表面和所述n型擴散層表面設置保護層包括:
對所述硅襯底背面進行氧化鋁鈍化,以形成氧化鋁膜層;
分別在所述硅襯底正面與所述氧化鋁膜層表面沉積氮化硅,以形成氮化硅膜層。
可選的,在所述第一絨面表面進行磷擴散以形成覆蓋所述第一絨面的n型擴散層之后,所述方法還包括:
在所述n型擴散層表面設置選擇性發射極;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





