[發明專利]半導體裝置及其形成方法

在審

• 申請號: 201910840454.2
• 申請日: 2019-09-06
• 公開（公告）號: CN112466894A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 李新輝;曾漢良;林學榮;李金政
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G06K9/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 孫乳筍;周永君

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

一基板，其中該基板具有多個像素；以及

一光準直層，設置于該基板之上；

其中該光準直層包括：

一遮光層，設置于該基板之上；

多個透明柱體，設置于該遮光層中，其中該多個透明柱體覆蓋該多個像素；以及

多個光學微透鏡，設置于該多個像素之上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個透明柱體位于該多個光學微透鏡與該多個像素之間。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，該多個透明柱體由一第一材料形成，該多個光學微透鏡由一第二材料形成，且該第一材料不同于該第二材料。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，該多個光學微透鏡的一折射率大于該多個透明柱體的一折射率。

5.如權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，更包括：

一透明材料層，設置于該多個透明柱體與該基板之間。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，該透明材料層由該第一材料形成。

7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該多個光學微透鏡位于該多個透明柱體與該多個像素之間。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，該多個光學微透鏡位于該遮光層中。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，該多個透明柱體直接接觸該多個光學微透鏡的頂表面。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，該多個透明柱體具有內凹的底部輪廓。

11.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，該多個透明柱體由一第一材料形成，該多個光學微透鏡由一第二材料形成，且該第一材料不同于該第二材料。

12.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，該多個光學微透鏡的一折射率大于該多個透明柱體的一折射率。

13.如權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，更包括：

一透明材料層，設置于該多個光學微透鏡與該基板之間。

14.如權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，該透明材料層由該第一材料形成。

15.一種半導體裝置的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基板，其中該基板具有多個像素；

于該多個像素上形成多個透明柱體；

于該基板上形成一遮光層，其中該遮光層圍繞該多個透明柱體；以及

于該多個像素上形成多個光學微透鏡。

16.如權利要求15所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，在形成該多個透明柱體的步驟之前，更包括：

形成一透明材料層于該基板之上，其中該多個透明柱體形成于該透明材料層之上。

17.如權利要求15所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，在形成該多個透明柱體的步驟之后形成該多個光學微透鏡，且該多個光學微透鏡形成于該多個透明柱體之上。

18.如權利要求15所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，在形成該多個透明柱體的步驟之前形成該多個光學微透鏡，且該多個透明柱體形成于該多個光學微透鏡之上。

19.如權利要求18所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該遮光層圍繞該多個光學微透鏡。

20.如權利要求18所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，該多個透明柱體直接接觸該多個光學微透鏡的頂表面，且該多個透明柱體具有內凹的底部輪廓。