[發(fā)明專利]晶片舟在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910839007.5 | 申請日: | 2019-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN110880466A | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安德利斯·里查 | 申請(專利權(quán))人: | 商先創(chuàng)國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張曉霞;臧建明 |
| 地址: | 德國布勞*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶片 | ||
1.一種晶片舟,用于容置晶片,所述晶片舟包括:
至少兩個長形的容置元件,其中每個所述容置元件均由石英構(gòu)成且具有橫向于縱向延伸度的平行延伸的容置槽;
長形的支撐元件,其中每個容置元件均分配有至少一個所述支撐元件,其中所述支撐元件由不同于石英的第二材料構(gòu)成,且其中在工作定向上,所述支撐元件沿重力方向至少部分地位于相應(yīng)的所述容置元件下方;以及
兩個端板,其中所述容置元件如此地布置和固定在所述端板之間,使得所述容置元件的所述容置槽彼此朝向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中所述容置元件與相應(yīng)的所述支撐元件間隔很近、存在接觸或者通過支點而間隔很近或相接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述的晶片舟,其中所述支撐元件固定支承在所述端板上或者沿縱向松弛支承在所述端板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片舟,其中所述支撐元件以間隙支承在所述端板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中所述第二材料具有高于石英的強度、形狀穩(wěn)定性和/或耐熱性。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中所述第二材料為碳化硅或硅滲入碳化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中所述容置元件和/或所述支撐元件具有大體矩形、大體圓形或大體半圓形的橫截面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中所述容置元件的橫截面另具有凹口,使得每個所述支撐元件均部分地在相應(yīng)的所述容置元件的橫截面的所述凹口中延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中每個支撐元件均位于相應(yīng)的所述容置元件的背離所述容置槽的一側(cè)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中每個所述容置元件具有空心的橫截面;且其中每個所述支撐元件均至少部分地在相應(yīng)的所述容置元件內(nèi)延伸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中所述支撐元件具有盤形橫截面且至少部分地環(huán)扣相應(yīng)的所述容置元件。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片舟,其中至少兩個所述容置元件的所述容置槽與水平線成30°至60°。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





