[發(fā)明專利]晶圓切割晶片數(shù)計(jì)算方法及計(jì)算設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910836284.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN112446887B
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蕭禮明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G06T7/11
• 分類號(hào): G06T7/11;G06T7/12;G03F7/20
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 羅平

1.一種晶圓切割晶片數(shù)計(jì)算方法，其特征在于，包括：

建立二維坐標(biāo)系，根據(jù)晶片的尺寸在所述二維坐標(biāo)系中確定晶片分布陣列；

任選一晶片作為定點(diǎn)晶片，確定第一步進(jìn)值，按所述第一步進(jìn)值在所述定點(diǎn)晶片內(nèi)移動(dòng)晶圓中心并確定晶圓的各第一覆蓋區(qū)域，計(jì)算各第一覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)并進(jìn)行比較，取有效晶片數(shù)最大的第一覆蓋區(qū)域的晶圓中心作為可行位置；

通過連接線連接位于相鄰晶圓中心處的可行位置，形成可行區(qū)域，所述可行區(qū)域包括連接線以及所述連接線圍合的區(qū)域；

確定第二步進(jìn)值，所述第二步進(jìn)值小于所述第一步進(jìn)值，按所述第二步進(jìn)值在所述可行區(qū)域內(nèi)移動(dòng)晶圓中心并確定晶圓的各第二覆蓋區(qū)域，計(jì)算各第二覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)并進(jìn)行比較，以各第二覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)中的最大有效晶片數(shù)作為最佳切割晶片數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的計(jì)算方法，其特征在于，所述確定第一步進(jìn)值，按所述第一步進(jìn)值在所述定點(diǎn)晶片內(nèi)移動(dòng)晶圓中心并確定晶圓的各第一覆蓋區(qū)域，包括：

將所述定點(diǎn)晶片均勻劃分為多個(gè)區(qū)間，各所述區(qū)間呈正方形且各所述區(qū)間的邊長(zhǎng)等于所述第一步進(jìn)值，分別以每個(gè)區(qū)間的對(duì)角點(diǎn)作為晶圓中心確定晶圓的各第一覆蓋區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的計(jì)算方法，其特征在于，所述可行區(qū)域還包括與所述連接線的距離小于預(yù)設(shè)距離的區(qū)域，所述預(yù)設(shè)距離等于所述第一步進(jìn)值的一半。

4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的計(jì)算方法，其特征在于，所述按所述第二步進(jìn)值在所述可行區(qū)域內(nèi)移動(dòng)晶圓中心并確定晶圓的各第二覆蓋區(qū)域，計(jì)算各第二覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)并進(jìn)行比較，包括：

以所述第二步進(jìn)值為當(dāng)前步進(jìn)值在所述可行區(qū)域內(nèi)移動(dòng)晶圓中心并確定當(dāng)前第二覆蓋區(qū)域，計(jì)算當(dāng)前第二覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)，若當(dāng)前第二覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)大于第一覆蓋區(qū)域的最大有效晶片數(shù)，標(biāo)記當(dāng)前第二覆蓋區(qū)域的晶圓中心為較佳中心，比較各第二覆蓋區(qū)域的有效晶片數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的計(jì)算方法，其特征在于，當(dāng)找到兩個(gè)所述較佳中心時(shí)，所述方法還包括：

計(jì)算兩個(gè)所述較佳中心之間的間距，若兩個(gè)所述較佳中心之間的間距大于第二步進(jìn)值，則增大步進(jìn)值且增大后的步進(jìn)值不超過兩個(gè)所述較佳中心之間的間距，以增大后的步進(jìn)值作為當(dāng)前步進(jìn)值移動(dòng)晶圓中心并繼續(xù)確定晶圓的第二覆蓋區(qū)域直至完成所述可行區(qū)域的搜索。

6.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的計(jì)算方法，其特征在于，所述方法還包括：

確定曝光機(jī)單次曝光區(qū)域內(nèi)的晶片位置分布圖案，分別以所述定點(diǎn)晶片位于所述單次曝光區(qū)域內(nèi)的不同晶片位置確定不同的曝光方式；

取具有所述最佳切割晶片數(shù)的晶圓覆蓋區(qū)域?yàn)閮?yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域，計(jì)算分別采用各所述曝光方式對(duì)所述優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域內(nèi)的所有有效晶片曝光所需要的各曝光次數(shù)，獲取最少的曝光次數(shù)，以具有最少曝光次數(shù)的曝光方式作為所述優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域內(nèi)的有效晶片的最佳曝光方式。

7.如權(quán)利要求6所述的計(jì)算方法，其特征在于，當(dāng)所述優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域有多個(gè)時(shí)，且各所述優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域所需的最少曝光次數(shù)相同時(shí)，所述方法還包括：

確定優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域內(nèi)有效晶片覆蓋區(qū)域的邊緣，計(jì)算各所述優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域邊緣與內(nèi)部的有效晶片覆蓋區(qū)域邊緣的距離，選取距離最大的優(yōu)選晶圓覆蓋區(qū)域作為最佳晶圓覆蓋區(qū)域。