[發明專利]電潤濕裝置

在審

• 申請號: 201910833903.0
• 申請日: 2019-09-04
• 公開（公告）號: CN110879464A
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發明（設計）人: 立野智廣;辻埜和也;蜂谷篤史
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: G02B26/00
• 分類號: G02B26/00
• 代理公司: 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334
• 代理人: 王娟

電潤濕裝置具有：第一基板；多個第一電極，其在第一基板上形成；電介質層，其在多個第一電極上形成；第一疏水層，其在電介質層上形成；第二基板；第二電極，其在第二基板上形成；以及第二疏水層，其在第二電極上形成，第一基板和第二基板在第一疏水層和第二疏水層之間設置間隙而配置，第一電極具有氧化銦·氧化鋅層，電介質層具有氮化硅層，氮化硅層在氧化銦·氧化鋅層上直接形成。

技術領域

本發明涉及一種電潤濕裝置。

背景技術

近年來，電潤濕裝置(也稱為微小流體裝置或者液滴裝置)開發不斷推進。所謂電潤濕，是如果向在設置于電極上的疏水性的電介質層上配置的液滴施加電場，則液滴相對于電介質層的接觸角變化的現象。通過利用電潤濕，從而可以對例如亞微升這樣微小的液滴進行操作。由于電潤濕裝置在英語中大多稱為Electrowetting on Dielectric Devices(EWOD)，因此以下，為了簡單有時稱為“EWOD”。

為了實現將EWOD由包含薄膜晶體管(以下稱為“TFT”)在內的薄膜電子電路(以下有時稱為“TFT電路”)驅動的有源矩陣型EWOD(有時稱為“AM-EWOD”)，針對可以以低電壓進行驅動的EWOD的需求變高。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2017/078059號

發明內容

本發明所要解決的技術問題

向液滴施加的電壓，依賴于在液滴與電極之間存在的電介質層的介電常數及厚度。即，為了使被有效地施加于液滴的電壓變大，優選電介質層的介電常數大，厚度小。

但是，如果電介質層的厚度小，則會引起電介質層的耐壓降低、即產生泄漏不良的問題。

根據本發明人的研究，例如如專利文獻1所述，如果采用在由ITO(有時標記為氧化銦·氧化錫，或者In₂O₃·SnO₂)形成的電極上，作為電介質層而具有氮化硅(SiN)層的構造，則有時無法獲得充分的耐壓性。

本發明的目的在于，提供一種具有與當前相比耐壓性優良的電介質層，且能夠低電壓驅動的電潤濕裝置。

解決問題的方案

根據本發明的實施方式，提供以下的項目所述的解決方法。

[項目1]

一種電潤濕裝置，其具有：

第一基板；多個第一電極，其在所述第一基板上形成；電介質層，其在所述多個第一電極上形成；第一疏水層，其在所述電介質層上形成；

第二基板；第二電極，其在所述第二基板上形成；第二疏水層，其在所述第二電極上形成，

所述第一基板和所述第二基板，在所述第一疏水層和所述第二疏水層之間設置間隙而配置，

所述第一電極具有氧化銦·氧化鋅層，所述電介質層具有氮化硅層，所述氮化硅層在所述氧化銦·氧化鋅層上直接形成。

[項目2]

項目1所述的電潤濕裝置，所述電介質層具有層疊構造，該層疊構造包含氫濃度彼此不同的2個以上的氮化硅層。

[項目3]

項目2所述的電潤濕裝置，所述電介質層具有與所述第一電極相接的第一氮化硅層、和在所述第一氮化硅層的所述第一疏水層側形成的第二氮化硅層，所述第二氮化硅層的氫濃度低于所述第一氮化硅層的氫濃度。

[項目4]

項目3所述的電潤濕裝置，所述第二氮化硅層與所述第一疏水層相接。